[發(fā)明專利]鹵代物鈣鈦礦及其制備方法、太陽能電池的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410765303.2 | 申請日: | 2014-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN105789452A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李春圓;張志勇;趙鎖義;趙煒 | 申請(專利權(quán))人: | 西安寶萊特光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/46 | 分類號: | H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 61114 | 代理人: | 李罡 |
| 地址: | 710075 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鹵代物鈣鈦礦 及其 制備 方法 太陽能電池 | ||
1.一種鹵代物鈣鈦礦,其特征在于:所述鹵代物鈣鈦礦的化學(xué)通式為APbX3或APb(XnY1-n)3,其中,A為CH3NH3+或N(CH3)4+或CH(NH2)2+,Pb為二價,X和Y均為鹵素氯或溴或碘,0≤n≤1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹵代物鈣鈦礦,其特征在于:所述鹵代物鈣鈦APbX3或APb(XnY1-n)3均包含CH3NH3PbI3,CH3NH3PbBr3,CH3NH3PbI2Cl,CH3NH3PbICl2,N(CH3)4PbI3,N(CH3)4PbBr3,N(CH3)4PbCl3。
3.一種制備如權(quán)利要求1所述的鹵代物鈣鈦礦的制備方法,其特征在于,該方法通過以下步驟實現(xiàn):
步驟101:將原料PbX2加入到N,N’-二甲基甲酰胺(DMF)或氫鹵酸中,X為鹵素氯或溴或碘;
步驟102:向步驟101制得的溶液中加入甲胺鹽或四甲基胺鹽,直接得到鈣鈦礦的溶液;
步驟103:將步驟102制得的溶液中的溶劑減壓去除,得到鈣鈦礦固體,該固體于80℃真空干燥24小時,于手套箱中保存。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鹵代物鈣鈦礦的制備方法,其特征在于:所述步驟102制得的溶液需在氮氣保護下于60~80℃反應(yīng)5~10小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鹵代物鈣鈦礦的制備方法,其特征在于:所述步驟101、步驟102、步驟103均在惰性氣氛下制備。
6.一種利用如權(quán)利要求1所述的鹵代物鈣鈦礦制備太陽能電池的制備方法,其特征在于,該方法通過以下步驟實現(xiàn):
步驟201:將鹵代物鈣鈦礦溶于二甲基甲酰胺(DMF)中,旋涂在導(dǎo)電玻璃(ITO)/電子傳輸層,于100℃熱板上烘烤,揮發(fā)掉溶劑;
步驟202:向步驟201得到的鈣鈦礦旋涂層上旋涂空穴傳輸層;
步驟203:向步驟202得到的空穴傳輸層上蒸鍍金或鋁電極,組裝成太陽能電池器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述電子傳輸層所用材料包含TiO2和Al2O3和PEDOT:PSS。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述空穴傳輸層所用材料為Spiro-OMeTAD和P3HT和無機化合物MoO3。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述鹵代物鈣鈦礦的成膜方式包括旋涂、提拉、噴霧,成膜后通過適當(dāng)?shù)募訜崽幚淼玫紸PbX3或APb(XnY1-n)3固相結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述步驟201、步驟202、步驟203均也要在惰性氣氛下進行。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
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