[發明專利]一種去除碳化硅單晶中空微缺陷內部、及晶片表面有機污染物的方法

有效

• 申請號: 201410764416.0
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN104550133A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 陶瑩;高宇;巴音圖;鄧樹軍
• 申請（專利權）人: 河北同光晶體有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00
• 代理公司: 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211
• 代理人: 韓敏

1.一種去除碳化硅單晶中空微缺陷內部及晶片表面有機污染物的方法，其特征在于包括以下步驟：

1)將待處理的碳化硅晶體置于密閉空間，對該空間抽真空至真空度為(1E-2)～(1E-5)Pa，保持5～15min，而后向該空間中通入載氣至40～120Kpa，保持2～10min；

2)而后對上述空間抽真空至真空度為(1E-2)～(1E-5)Pa，保持5～15min，取還原性氣體與載氣混合得到第一混合氣，在該第一混合氣中還原性氣體的含量為5～100％(v/v)，而后向上述空間中通入該第一混合氣至20～100Kpa，保持1～10min；

3)而后對上述空間抽真空至真空度為(1E-2)～(1E-5)Pa，再加熱至1000～1200℃，保持10～30min；

4)取還原性氣體與載氣混合得到第二混合氣，在該第二混合氣中還原性氣體的含量為5～100％(v/v)，而后向上述空間中通入該第二混合氣至10～150Kpa，再加熱至1200～1900℃，保持5～30min，而后抽真空；

5)向上述空間中沖入載氣至20～100Kpa，維持此壓強冷卻。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟5)所述冷卻的速度為5～10℃/min。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述還原性氣體選自氫氣、氨氣或氯化氫的其中一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述載氣選自氮氣、惰性氣體或其混合物。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于所述惰性氣體是氬氣。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟1)重復2～5次再實施步驟2)。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟2)重復2～5次再實施步驟3)。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟4)重復2～8次再實施步驟5)。