[發(fā)明專利]電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)及其隨機存取存儲器操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410763257.2
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN105742484B
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐懋騰
• 申請（專利權(quán)）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，包括：

第一晶體管與第二晶體管，通過該第一晶體管的一第一端子與該第二晶體管電連接，而使得該第一晶體管與該第二晶體管串聯(lián)，且該第一晶體管與該第二晶體管共同設(shè)置于一基底表面；以及

電阻式隨機存取存儲單元串，包括彼此電連接的多個存儲單元，且各該存儲單元包括：

第一電極；

第二電極，設(shè)置于該第一電極上；以及

可變電阻結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一電極與該第二電極之間，

其中該電阻式隨機存取存儲單元串還包括內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，將同一串的該些存儲單元的該些第一電極進行連接，且電連接至該第一晶體管的一第二端子。

2.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，其中該第一晶體管與該第二晶體管通過共用該第一端子而進行串聯(lián)。

3.如權(quán)利要求2所述的電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，其中

該第一晶體管包括：

第一柵極，設(shè)置于一基底上；以及

第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)，分別設(shè)置于該第一柵極的一側(cè)與另一側(cè)的該基底中，且分別作為該第一端子與該第二端子，

該第二晶體管包括：

第二柵極，設(shè)置于該基底上；以及

第三摻雜區(qū)與該第一摻雜區(qū)，分別設(shè)置于該第二柵極的一側(cè)與另一側(cè)的該基底中，其中該第三摻雜區(qū)作為一第三端子。

4.如權(quán)利要求3所述的電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，其中該基底包括突出部，其中該突出部位于該第一柵極與該第二柵極之間，且該第一端子位于該突出部中。

5.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，其中該第一晶體管與該第二晶體管通過電連接該第一晶體管的該第一端子與該第二晶體管的一第四端子而進行串聯(lián)。

6.如權(quán)利要求5所述的電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，其中

該第一晶體管包括：

第一柵極，設(shè)置于一基底上；以及

第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)，分別設(shè)置于該第一柵極的一側(cè)與另一側(cè)的該基底中，且分別作為該第一端子與該第二端子，

該第二晶體管包括：

第二柵極，設(shè)置于該基底上；以及

第三摻雜區(qū)與第四摻雜區(qū)，分別設(shè)置于該第二柵極的一側(cè)與另一側(cè)的該基底中，且分別作為一第三端子與該第四端子。

7.如權(quán)利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，其中該第一摻雜區(qū)與該第四摻雜區(qū)通過內(nèi)連線結(jié)構(gòu)進行電連接。

8.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，其中該第一晶體管與該第二晶體管分別包括金屬氧化物半場效晶體管、雙載流子接面晶體管(bipolar junctiontransistor)、接面場效晶體管(junction field effect transistor)、金屬半導(dǎo)體場效晶體管(metal-semiconductor field effect transistor)或調(diào)變摻雜場效晶體管(modulation doped field effect transistor)。