[發明專利]用于化學氣相沉積金剛石膜的高功率微波等離子體反應裝置有效
| 申請號: | 201410760770.6 | 申請日: | 2014-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN104388910A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | 于盛旺;黑鴻君;劉小萍;安康;高潔;賀志勇 | 申請(專利權)人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | C23C16/517 | 分類號: | C23C16/517;C23C16/511;C23C16/513;C23C16/26 |
| 代理公司: | 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100 | 代理人: | 朱源 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 化學 沉積 金剛石 功率 微波 等離子體 反應 裝置 | ||
1.一種用于化學氣相沉積金剛石膜的高功率微波等離子體反應裝置,包括圓柱形諧振腔體,其特征在于:所述的圓柱形諧振腔體分為上腔體(1)、中腔體(2)和下腔體(3),中腔體(2)的直徑小于上腔體(1)和下腔體(3)的直徑;上腔體(1)的腔頂為圓錐形,上腔體(1)內的底部緊貼腔壁安裝有圓環狀石英微波窗口(4),圓環狀石英微波窗口(4)的上端口設有一圈安裝槽,安裝槽內安裝有圓盤狀耦合天線(5),圓盤狀耦合天線(5)的底部中心處設有下凸的圓柱凸臺(6),圓盤狀耦合天線(5)上沿其軸線開設有進氣孔(7);下腔體(3)的底部設有總出氣孔(13),下腔體(3)內緊貼腔壁安裝有第一圓柱形反射體(8),第一圓柱形反射體(8)的底面為平面狀、頂面為向下沉陷的倒圓臺狀,在第一圓柱形反射體(8)上沿其軸線開設有第一圓筒形安裝孔,且在緊鄰第一圓形安裝孔的位置開設有若干出氣孔(11),第一圓筒形安裝孔內插裝有第二圓柱形反射體(9),第二圓柱形反射體(9)上沿其軸線開設有第二圓筒形安裝孔,第二圓筒形安裝孔內插裝有圓柱形基臺(10);第一圓柱形反射體(8)、第二圓柱形反射體(9)和圓柱形基臺(10)通過各自設置的升降機構(12)能分別實現升降動作;
上腔體(1)、中腔體(2)、下腔體(3)、圓環狀石英微波窗口(4)、圓盤狀耦合天線(5)、第一圓柱形反射體(8)、第二圓柱形反射體(9)、圓柱形基臺(10)為同軸線設置;圓環狀石英微波窗口(4)與上腔體(1)之間、圓環狀石英微波窗口(4)與圓盤狀耦合天線(5)之間、第一圓柱形反射體(8)與下腔體(3)之間、第一圓柱形反射體(8)與第二圓柱形反射體(9)之間、第二圓柱形反射體(9)與圓柱形基臺(10)之間都設有密封圈(14)。
2.根據權利要求1所述的用于化學氣相沉積金剛石膜的高功率微波等離子體反應裝置,其特征在于:上腔體(1)的圓錐形腔頂的斜邊與水平線的夾角為5-20°;第一圓柱形反射體(8)上的斜邊與水平線的夾角為10-25°。
3.根據權利要求1或2所述的用于化學氣相沉積金剛石膜的高功率微波等離子體反應裝置,其特征在于:上腔體(1)、中腔體(2)、下腔體(3)、圓盤狀耦合天線(5)、第一圓柱形反射體(8)及其升降機構(12)、第二圓柱形反射體(9)及其升降機構(12)、圓柱形基臺(10)及其升降機構(12)均通過循環冷卻水直接冷卻。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





