[發(fā)明專利]一種AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410759494.1
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN105742174A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安鐵雷;劉海鷹
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/3213;H01L33/00
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，所述AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的GaP層、含Al層和GaAs層，其特征在于，包括：

第一步，對所述GaP層進(jìn)行刻蝕，刻蝕形成的溝槽的側(cè)壁垂直；

第二步，對所述含Al層進(jìn)行刻蝕；

第三步，對所述GaAs層進(jìn)行刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，其特征在于，

在第一步中，刻蝕氣體為Cl₂，或者，由Cl₂和Ar組成的氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，其特征在于，

在第一步中，刻蝕氣體壓力為2.5-8mT，上電極射頻功率為300-1200W，下電極射頻功率為100-500W，刻蝕氣體為流量為70-180sccm的Cl₂，或者，由流量為60-150sccm的Cl₂和流量為10-30sccm的Ar組成的氣體，刻蝕溫度為-20-60℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，其特征在于，

在第二步中，刻蝕氣體為Cl₂，或者，由Cl₂與BCl₃和Ar中的至少一種組成的氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，其特征在于，

在第二步中，刻蝕氣體壓力為2.5-8mT，上電極射頻功率為300-1200W，下電極射頻功率為100-500W，刻蝕氣體為流量為70-150sccm的Cl₂，或者，由流量為20-150sccm的Cl₂與流量為50-80sccm的BCl₃組成的氣體，刻蝕溫度為-20-60℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，其特征在于，

在第三步中，刻蝕氣體為Cl₂，或者，由Cl₂和Ar組成的氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，其特征在于，

在第三步中，刻蝕氣體壓力為2.5-8mT，上電極射頻功率為300-1000W，下電極射頻功率為100-500W，刻蝕氣體為流量為70-150sccm的Cl₂，或者，由流量為60-150sccm的Cl₂和流量為10-30sccm的Ar組成的氣體，刻蝕溫度為-20-60℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，其特征在于，

在第一步中，刻蝕氣體壓力為3mT，上電極射頻功率為600W，下電極射頻功率為250W，刻蝕氣體為由流量為100sccm的Cl₂和流量為20sccm的Ar組成的氣體，刻蝕溫度為35℃，刻蝕持續(xù)時間為6min；

在第二步中，刻蝕氣體壓力為3mT，上電極射頻功率為600W，下電極射頻功率為250W，刻蝕氣體為由流量為40sccm的Cl₂與流量為80sccm的BCl₃組成的氣體，刻蝕溫度為35℃，刻蝕持續(xù)時間為11min；

在第三步中，刻蝕氣體壓力為3mT，上電極射頻功率為600W，下電極射頻功率為200W，刻蝕氣體為流量為120sccm的Cl₂，刻蝕溫度為35℃，刻蝕持續(xù)時間為16min。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP基多層結(jié)構(gòu)的深槽刻蝕方法，其特征在于，

在第一步中，刻蝕氣體壓力為3mT，上電極射頻功率為750W，下電極射頻功率為250W，刻蝕氣體為流量為120sccm的Cl₂，刻蝕溫度為35℃，刻蝕持續(xù)時間為5.5min；

在第二步中，刻蝕氣體壓力為3mT，上電極射頻功率為750W，下電極射頻功率為250W，刻蝕氣體為由流量為40sccm的Cl₂與流量為80sccm的BCl₃組成的氣體，刻蝕溫度為35℃，刻蝕持續(xù)時間為10min；

在第三步中，刻蝕氣體壓力為3mT，上電極射頻功率為700W，下電極射頻功率為250W，刻蝕氣體為流量為120sccm的Cl₂，刻蝕溫度為35℃，刻蝕持續(xù)時間為14min。