[發明專利]一種雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構

在審

• 申請號: 201410759284.2
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN104409966A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 堯舜;雷宇鑫;王智勇;邱運濤;賈冠男;高祥宇;呂朝蕙
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 王秀麗

1.一種雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構，其特征在于，包括：藍寶石襯底、緩沖層、兩個外延生長層；

所述藍寶石襯底為基板，依次覆上緩沖層和兩個外延生長層；

所述兩個外延生長層是采用金屬有機化合物化學氣相淀積的方式逐層沉積于所述藍寶石襯底上方；

其中，每個外延生長層從下往上依次包括N面電極接觸層、保護層、N面包層、N面波導層、有源區、P面電子阻擋層、P面波導層、P面包層、P面電極接觸層；

在每個外延生長層的N面電極接觸層生長相應的N型電極，在每個外延生長層的P面電極接觸層生長相應的P型電極；

所述P型電極和N型電極是在每個外延生長層上經光刻腐蝕、蒸發或濺射的方法覆蓋一層或多層金屬，然后再進行合金化形成的低阻金屬。

2.如權利要求1所述的雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構，其特征在于，

雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構的外延生長層從緩沖層開始分別為：綠光外延生長層和藍光外延生長層。

3.如權利要求1所述的雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構，其特征在于，

所述緩沖層的材質為GaN，厚度為0.03μm。

4.如權利要求1所述的雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構，其特征在于，

所述藍寶石襯底為三方晶系，折光率為1.76-1.77。

5.如權利要求1所述的雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構，其特征在于，

所述保護層的材質為In_0.1Ga_0.9N，厚度為0.1μm。

6.如權利要求1所述的雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構，其特征在于，

所述P面電子阻擋層的材質為Al_0.2Ga_0.8N，厚度為0.02μm。

7.如權利要求1所述的雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構，其特征在于，

所述N面包層和所述P面包層的材質為Al_0.15Ga_0.85N，厚度為0.4μm。

8.如權利要求1所述的雙波長鎵氮基半導體激光芯片結構，其特征在于，

所述N面波導層和所述P面波導層的材質為GaN，厚度為0.1μm。