[發明專利]一種表面型半導體激光器件倒裝焊電極結構

在審

• 申請號: 201410758966.1
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN104377298A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 堯舜;雷宇鑫;王智勇;邱運濤;賈冠男;高祥宇;呂朝蕙
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01S5/022
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 王秀麗

1.一種表面型半導體激光器件倒裝焊電極結構，其包括：藍寶石襯底、外延生長層、絕緣層、P型電極和N型電極，所述外延生長層逐層沉積于所述藍寶石襯底的上方，所述外延生長層上方形成P面和N面，所述P型電極和N型電極分別生長于所述P面和N面上，且所述P型電極和N型電極之間存在高度差，其特征在于，還包括：一個N’型電極和金線；

所述外延生長層上方在鍍絕緣層后還形成N’面，所述N’型電極生于所述N’面上；

所述N’型電極與P型電極等高，分別位于N型電極的兩側；

所述金線的兩端分別焊接在N型電極和N’型電極上；

所述外延生長層除與P型電極和N型電極接觸的部分外，其他表面鍍SiN或SiO₂絕緣層。

2.如權利要求1所述的表面型半導體激光器件倒裝焊電極結構，其特征在于，

所述藍寶石襯底的材料包含氧化鋁Al₂O₃。

3.如權利要求1所述的表面型半導體激光器件倒裝焊電極結構，其特征在于，

所述藍寶石襯底為三方晶系，折光率為1.76-1.77。