[發明專利]反熔絲現場可編程門陣列編程狀況的預估方法

有效

• 申請號: 201410758848.0
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN104570849A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 楊大為;孫佳佳
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十七研究所
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042
• 代理公司: 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙) 11400
• 代理人: 方挺;葛強

1.一種反熔絲現場可編程門陣列編程狀況的預估方法，包括：

1)將用于承載反熔絲現場可編程門陣列的晶元劃分為多個區域；在所述多個區域內分別植入多個測試用反熔絲器件；

2)對所述測試用反熔絲器件的上電極和下電極施加測試電壓，將所述測試用反熔絲器件的中間介質層擊穿，為每個測試用反熔絲器件編程；

3)獲取各個不同區域內的編程后的測試用反熔絲器件的中間介質層的評估用電阻值，與預設的參照電阻值比較，確定所述不同區域所對應的現場可編程門陣列功能正常率；

4)根據實際進行反熔絲現場可編程門陣列編程欲選取的區域預估編程狀況。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟3)中，對每個區域內的所有測試用反熔絲器件的中間介質層的電阻值求平均值來計算所述評估用電阻值，所述參照電阻值為采用單個反熔絲電阻編程后的常規電阻值。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟3)中，

當某一區域的所述評估用電阻值與參照電阻值偏差率小于或者等于[0，20％]時，確定該區域的反熔絲現場可編程門陣列的功能正常率為100％。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

當某一區域的所述評估用電阻值與參照電阻值偏差率在區間(20％，40％]內時，確定該區域的反熔絲現場可編程門陣列的功能正常率為90％。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

當某一區域的所述評估用電阻值與參照電阻值偏差率在區間(40％，100％]內時，確定該區域的反熔絲現場可編程門陣列的功能正常率為70％。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

當某一區域的所述評估用電阻值與參照電阻值偏差率在區間大于100％時，確定該區域的反熔絲現場可編程門陣列的功能正常率小于50％。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，在所述步驟1)中，所述晶元被均勻地分成多個區域。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步驟1)中，當所述晶元的尺寸為4英寸，所述晶元被均勻地分成5個區域。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步驟1)中，當所述晶元的尺寸為8英寸，所述晶元被均勻地分成11個區域。