[發明專利]微型薄膜鉑電阻熱流傳感器及其制造方法在審
| 申請號: | 201410757611.0 | 申請日: | 2014-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN104458191A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 林鍵;陳星;宮建;李睿劬;師軍 | 申請(專利權)人: | 中國航天空氣動力技術研究院 |
| 主分類號: | G01M9/02 | 分類號: | G01M9/02;G01K7/18 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
| 地址: | 100074 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 薄膜 鉑電阻 熱流 傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種微型薄膜鉑電阻熱流傳感器,其特征在于,包括:鉑電阻薄膜、玻璃基底、銀膜引線和導線,所述玻璃基底為直徑1mm±0.05mm的圓柱玻璃棒,所述鉑電阻薄膜為鍍在所述玻璃基底一個端面上的一字形薄膜,所述銀膜引線為對稱地鍍在所述玻璃基底側面地兩條銀膜線,兩條所述銀膜引線各自的一端分別與所述所述鉑電阻薄膜搭接,各自的另一端分別焊接有所述導線。
2.根據權利要求1所述的微型薄膜鉑電阻熱流傳感器,其特征在于:所述鉑電阻薄膜寬度為0.05mm。
3.一種微型薄膜鉑電阻熱流傳感器的制造方法,其用于制造權利要求1或2所述的微型薄膜鉑電阻熱流傳感器,其特征在于,包括:
步驟1,通過離子束濺射沉積方法在所述玻璃基底的一個端面上沉積一層鉑電阻薄膜;
步驟2,采用離子束濺射沉積方法在圓柱玻璃棒的側面,對稱地沉積兩條銀膜引線,并使兩條所述銀膜引線各自的一端分別與所述鉑電阻薄膜搭接;
步驟3,利用激光加工設備對鉑金屬薄膜進行修型切割,在與兩條銀膜引線3搭接的兩點之間,留下寬度為0.05mm的“一”字形線條的鍍膜;和
步驟4,在兩條所述銀膜引線各自的另一端分別焊接導線。
4.如權利要求3所述的微型薄膜鉑電阻熱流傳感器的制造方法,其特征在于;所述鉑電阻薄膜的電阻值應保持在20±3歐姆。
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