[發明專利]面發光激光器以及原子振蕩器

在審

• 申請號: 201410756929.7
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN104734007A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 竹中敏;倉知祐司;小野昭次
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/125;H01S5/187
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李洋;舒艷君

技術領域

本發明涉及面發光激光器以及原子振蕩器。

背景技術

面發光激光器(VCSEL：Vertical?Cavity?Surface?Emitting?Laser垂直腔面發射激光器)例如作為利用了作為量子干涉效應之一的CPT(Coherent?Population?Trapping相干布居俘獲)的原子振蕩器的光源而被使用。

對于面發光激光器而言，通常，共振器具有各向同性的構造，因此從共振器射出的激光的偏振方向的控制較困難。例如在專利文獻1中記載有面發光激光器，該面發光激光器通過變形施加部使共振器產生變形而產生雙折射，由此使通過激光振蕩獲得的激光的偏振方向穩定化。

專利文獻1：日本特開平11-54838號公報

然而，在專利文獻1所記載的面發光激光器中，未言及從上部電極引出的引出配線，在俯視觀察下，以覆蓋包括變形施加部的上表面整體的方式設置上部電極。因此，由上部電極導致的寄生電容增大，因此存在面發光激光器的特性劣化的情況。另外，若為了使寄生電容減小，而使引出配線變細，則在引出配線的下表面的曲率較大的部分產生剝離或斷線的危險增大，因此成品率降低。

發明內容

本發明的幾個方式所涉及的目的之一在于提供一種抑制特性的劣化并且成品率良好的面發光激光器。另外，本發明的幾個方式所涉及的目的之一在于提供一種包括上述面發光激光器的原子振蕩器。

本發明所涉及的面發光激光器包括：

基板；

層疊體，其設置于上述基板上方；

絕緣層，其設置于上述層疊體的至少一部分的上方；

電極，該電極的至少一部分設置于上述層疊體上方；

焊盤，其被引線接合；以及

配線，其將上述電極與上述焊盤電連接，

上述層疊體包括：設置于上述基板上方的第一反射鏡層、設置于上述第一反射鏡層上方的活性層、以及設置于上述活性層上方的第二反射鏡層，

在俯視觀察下，上述層疊體具有：第一變形施加部、第二變形施加部、以及設置于上述第一變形施加部與上述第二變形施加部之間并使在上述活性層產生的光共振的共振部，

在俯視觀察下，上述絕緣層設置為覆蓋上述第一變形施加部的至少一部分，

在俯視觀察下，上述電極設置為覆蓋上述共振部的至少一部分，

在俯視觀察下，上述配線設置為覆蓋上述第一變形施加部的至少一部分的寬度方向的整體，

在俯視觀察下，上述配線的寬度比上述第一變形施加部的寬度寬，比上述電極的寬度窄。

在上述的面發光激光器中，配線的寬度設置為比第一變形施加部的寬度寬，且在寬度方向覆蓋第一變形施加部的整體，因此能夠抑制配線的剝離。因此，在上述的面發光激光器中，能夠實現成品率良好的面發光激光器。

另外，在上述的面發光激光器中，配線的寬度比設置為覆蓋共振部的至少一部分的電極的寬度窄，因此與配線的寬度比上述電極的寬度寬的情況相比，能夠減少由配線導致的寄生電容。因此，在上述的面發光激光器中，能夠抑制由配線導致的寄生電容所引起的特性的劣化。

此外，在本發明所涉及的記載中，在將稱為“上方”的詞句例如使用為“在特定的部件(以下，稱為“A”)的“上方”形成其他的特定的部件(以下，稱為“B”)”等的情況下，包括在A上直接形成B的情況與在A上經由其他的部件形成B的情況，對此使用稱為“上方”的詞句。

在本發明所涉及的面發光激光器中，

在俯視觀察下，上述第一變形施加部被上述電極以及上述配線中的至少一方覆蓋。

在上述的面發光激光器中，第一變形施加部被電極以及配線中的至少一方覆蓋，因此能夠通過電極以及配線中的至少一方覆蓋容易產生階差(level?difference)的第一變形施加部的端部。由此，能夠抑制配線的剝離。因此，在上述的面發光激光器中，能夠實現成品率良好的面發光激光器。

在本發明所涉及的面發光激光器中，

上述第一變形施加部具有第一寬度，

上述第二變形施加部具有第二寬度，

上述共振部具有比上述第一寬度以及上述第二寬度中的至少一方寬的第三寬度。

在上述的面發光激光器中，能夠使由第一變形施加部以及第二變形施加部施加于共振部的應力增大，因此能夠使共振部的活性層產生較大的變形。因此，在上述的面發光激光器中，能夠實現激光的偏振方向的穩定化。

本發明所涉及的原子振蕩器包括本發明所涉及的面發光激光器。