[發(fā)明專利]一種監(jiān)控eMMC的方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410756092.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104461754B | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福州瑞芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F11/00 | 分類號(hào): | G06F11/00 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;呂元輝 |
| 地址: | 350003 福建省*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 寫入 存儲(chǔ)位置 方法和裝置 熱點(diǎn)地址 監(jiān)控 有效地減少 使用壽命 文件寫入 系統(tǒng)運(yùn)行 寫入文件 內(nèi)存 | ||
本發(fā)明公開一種監(jiān)控eMMC的方法和裝置,其中方法包括如下步驟:監(jiān)控預(yù)寫入到eMMC熱點(diǎn)地址的文件;寫入所述文件到非eMMC的存儲(chǔ)位置;在滿足一定條件時(shí);將所述非eMMC的存儲(chǔ)位置的文件寫入到eMMC。本技術(shù)方案通過寫入文件到非eMMC存儲(chǔ)位置,有效地減少了eMMC的寫入量,尤其是一些熱點(diǎn)地址的頻繁寫入,提高了eMMC顆粒的使用壽命,同時(shí)在寫入到內(nèi)存時(shí),可以使得系統(tǒng)運(yùn)行更為流暢。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及eMMC管理技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種監(jiān)控eMMC的方法和裝置。
背景技術(shù)
eMMC(Embedded Multi Media Card)為MMC協(xié)會(huì)所訂立的、主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器,它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存,使得手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分,并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。
現(xiàn)有的flash類型包含有四種,SLC、MLC、TLC、QLC。SLC=Single-Level Cell,即1bit/cell,速度快壽命長(zhǎng),價(jià)格昂貴(約MLC 3倍以上的價(jià)格);MLC=Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般;TLC=Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash廠家叫8LC,速度慢壽命短,價(jià)格便宜;以及QLC=Quad-Level Cell,即4bit/cell,速度最慢壽命最短。
目前大量的基于TLC(Trinary-Level Cell)類型的flash開發(fā)的eMMC顆粒開始應(yīng)用,這類顆粒寫入壽命低,容易損壞。為了防止頻繁寫入操作對(duì)顆粒的造成的影響,一般現(xiàn)行的做法是廠家建立數(shù)據(jù)模型來記錄日志,并分析;或者將送出去的工程樣機(jī)回收進(jìn)行行為分析。還有一種就是CN201310648750這份專利提到的改進(jìn)方法:對(duì)超出預(yù)設(shè)寫入量閾值的應(yīng)用進(jìn)行信任認(rèn)證。然而這種方式雖然可以有效的抑制各種應(yīng)用不合理的寫入,但是問題在于如果是一些應(yīng)用合理的寫入行為無法控制比如記錄日志或者讀寫它對(duì)應(yīng)的配置文件等。對(duì)于這類合理的寫入行為,對(duì)eMMC的頻繁寫仍然會(huì)對(duì)顆粒的壽命造成影響。由于這些第三方開發(fā)的應(yīng)用,如果阻止其寫入操作,應(yīng)用可能就無法運(yùn)行。
發(fā)明內(nèi)容
為此,需要提供一種監(jiān)控eMMC的方案,解決現(xiàn)有需要監(jiān)控對(duì)eMMC的寫入行為,防止寫入行為可能對(duì)eMMC造成損壞的問題,同時(shí)不影響應(yīng)用程序的正常工作。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,發(fā)明人提供了一種監(jiān)控eMMC的方法,包括如下步驟:
監(jiān)控預(yù)寫入到eMMC熱點(diǎn)地址的文件;
寫入所述文件到非eMMC的存儲(chǔ)位置;
在滿足一定條件時(shí);
將所述非eMMC的存儲(chǔ)位置的文件寫入到eMMC。
進(jìn)一步地,所述寫入所述文件到非eMMC的存儲(chǔ)位置具體包括:寫入所述文件到內(nèi)存中。
進(jìn)一步地,所述在滿足一定條件時(shí)具體包括:在文件大小超過寫入閾值時(shí)。
進(jìn)一步地,所述在滿足一定條件時(shí)具體包括:在關(guān)機(jī)指令被觸發(fā)時(shí)。
進(jìn)一步地,所述eMMC熱點(diǎn)地址包括eMMC被頻繁寫入的地址。
以及發(fā)明人還提供一種監(jiān)控eMMC的裝置,包括如下模塊:
監(jiān)控模塊:用于監(jiān)控預(yù)寫入到eMMC熱點(diǎn)地址的文件;
非eMMC寫入模塊:用于寫入所述文件到非eMMC的存儲(chǔ)位置;
eMMC寫入模塊:用于在滿足一定條件時(shí);
將所述非eMMC的存儲(chǔ)位置的文件寫入到eMMC。
進(jìn)一步地,所述非eMMC寫入模塊包括用于寫入所述文件到內(nèi)存中。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于福州瑞芯微電子股份有限公司,未經(jīng)福州瑞芯微電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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G06F 電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理
G06F11-00 錯(cuò)誤檢測(cè);錯(cuò)誤校正;監(jiān)控
G06F11-07 .響應(yīng)錯(cuò)誤的產(chǎn)生,例如,容錯(cuò)
G06F11-22 .在準(zhǔn)備運(yùn)算或者在空閑時(shí)間期間內(nèi),通過測(cè)試作故障硬件的檢測(cè)或定位
G06F11-28 .借助于檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)程序或通過處理作錯(cuò)誤檢測(cè)、錯(cuò)誤校正或監(jiān)控
G06F11-30 .監(jiān)控
G06F11-36 .通過軟件的測(cè)試或調(diào)試防止錯(cuò)誤





