[發(fā)明專利]一種多晶硅還原爐用變流變壓器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410755560.8 | 申請日: | 2014-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN104465054A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范韋波 | 申請(專利權(quán))人: | 廣西柳州特種變壓器有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01F29/00 | 分類號: | H01F29/00;H01F27/28;C01B33/021 |
| 代理公司: | 柳州市榮久專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 45113 | 代理人: | 李志華 |
| 地址: | 545006 廣西壯族*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多晶 還原 爐用變 流變 | ||
1.一種多晶硅還原爐用變流變壓器,包括高壓側(cè)繞組和低壓側(cè)繞組,其特征在于:
所述高壓側(cè)繞組軸向分裂成兩個(gè)繞組:高壓繞組L11和高壓繞組L12,高壓繞組L11和高壓繞組L12各相結(jié)構(gòu)相同,各相均軸向分裂成兩個(gè)繞組,即:A相分為L11a和L12a?,B相分為L11b?和L12b,C相分為?L11c?L12c;
分裂后的高壓繞組L11與高壓繞組L12并聯(lián)共用1個(gè)無勵(lì)磁調(diào)壓開關(guān)3,實(shí)現(xiàn)對高壓繞組L11和高壓繞組L12同時(shí)調(diào)壓;
高壓繞組每相并聯(lián)后在變壓器內(nèi)部采用三角形接法;
所述低壓側(cè)繞組與分裂后的高壓側(cè)繞組對應(yīng),包括低壓繞組L21和低壓繞組L22,即:低壓繞組L21與高壓繞組L11對應(yīng),低壓繞組L22與高壓繞組L12對應(yīng);
所述低壓繞組L21和低壓繞組L22之間絕緣,低壓繞組頭尾全部引出,每相獨(dú)立運(yùn)行,沒有電氣上的聯(lián)系;
所述低壓繞組L21和低壓繞組L22結(jié)構(gòu)相同,包括5個(gè)串聯(lián)分接繞組,即:
低壓繞組L21包括5個(gè)串聯(lián)分接繞組:L211、L212、L213、L214和L215,每個(gè)分接繞組獨(dú)立單相運(yùn)行,其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同;
低壓繞組L22包括5個(gè)串聯(lián)分接繞組:L221、L222、L223、?L224和L225,每個(gè)分接繞組獨(dú)立單相運(yùn)行,其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐用變流變壓器,其特征在于:所述高壓繞組L11和高壓繞組L12,低壓繞組L21和低壓繞組L22共用一個(gè)鐵芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶硅還原爐用變流變壓器,其特征在于:所述低壓繞組L21和低壓繞組L22或同時(shí)帶上不同的負(fù)載同時(shí)運(yùn)行,或低壓繞組L21帶負(fù)載而低壓繞組L22空載,或者低壓繞組L22帶負(fù)載而低壓繞組L21空載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣西柳州特種變壓器有限責(zé)任公司,未經(jīng)廣西柳州特種變壓器有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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