[發(fā)明專利]基于俄歇電子注入的超低電壓OLED器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410755249.3 | 申請日: | 2014-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN104795510A | 公開(公告)日: | 2015-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 何守杰;王登科;江楠;張晉;呂正紅 | 申請(專利權(quán))人: | 云南大學 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 650091 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 電子 注入 電壓 oled 器件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機半導體器件領(lǐng)域,尤其涉及一種超低電壓有機發(fā)光二極管(OLED)器件及其制備技術(shù)方法。
背景技術(shù)
有機發(fā)光二極管(OLED)正成為電視、智能手機、平板電腦等無處不在的電子產(chǎn)品顯示屏幕的主流技術(shù),因為OLED具有驅(qū)動電壓低、效率高、發(fā)光視角寬、響應(yīng)速度快;超薄、重量輕、全固化主動發(fā)光;可彎曲、可大規(guī)模、大面積生產(chǎn)等優(yōu)點。此外,OLED在照明領(lǐng)域也受到了廣泛的研究,被認為是可替代熒光燈和無機LED的下一代固態(tài)照明光源。
決定OLED大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的主要因素OLED器件的電致發(fā)光(EL)性能。早期的蒽晶體OLED器件(J.?Chem.?Phys.,第38卷,2042(1963))沒有實際性應(yīng)用,是因為其大于100?V的驅(qū)動電壓。1987年美國柯達公司的鄧青云等人報道了雙層OLED器件結(jié)構(gòu)(Appl.?Phys.?Lett.,第51卷,913(1987)),由于器件結(jié)構(gòu)中同時含有空穴注入/傳輸層和電子注入/傳輸層,大大的降低了器件的驅(qū)動電壓(小于10?V),而使得OLED技術(shù)進入了一個實用化階段。
OLED器件是單層或多層有機活性層內(nèi)嵌于兩個電極之間,其中電子和空穴分別從陰極和陽極向電極之間的有機活性層注入,并在電場作用下由于相向運輸而靠近,進而在有機層中產(chǎn)生激子,最終激子經(jīng)過輻射躍遷產(chǎn)生光輻射。因此,從理論上來講,驅(qū)動OLED器件工作的外加電壓至少應(yīng)不低于發(fā)光材料的帶隙(或所發(fā)射光子的能量)。
在過去的幾十年里,為了降低OLED器件的驅(qū)動電壓,人們做出了很多努力,包括對改善有機材料的性能,改進器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計,引入PEDOT:PSS、HAT-CN、C60、MoO3、WO3和V-2O5等緩沖層對陽極界面進行修飾,以及在有機層和陰極之間增加LiF、Liq、Libpp和Cs2CO3等電子注入層來增強電子的注入性能。基于這些努力,目前許多報道中的OLED器件的開啟電壓都已接近發(fā)光材料的帶隙。
然而,這并不意味著對于OLED器件的EL性能的改善就止步于此,OLED仍然具有進一步發(fā)展的潛力。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種新的技術(shù)方法,使得OLED器件的開啟電壓能夠降到發(fā)光材料的帶隙以下。
為達上述目的,本發(fā)明提出一種俄歇電子產(chǎn)生層,由電子受體層和電子給體層組成,其中電子給體材料和電子受體材料均為高載流子遷移率材料。
本發(fā)明提出的俄歇電子產(chǎn)生層中,電子受體層/電子給體層界面具有較大的能量勢壘,使得電子和空穴在界面聚集,并發(fā)生電子-空穴非輻射俄歇復合,該復合過程產(chǎn)生的能量被傳遞給另一個電子,使得該電子躍遷到高能級成為俄歇電子。
為達上述目的,本發(fā)明提出了一種基于俄歇電子注入的超低電壓OLED器件,由基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、俄歇電子產(chǎn)生層、電子傳輸層、電子注入層、陰極組成,其特征在于在發(fā)光層和電子傳輸層之間設(shè)置有俄歇電子產(chǎn)生層。
本發(fā)明提出的基于俄歇電子注入的超低電壓OLED器件,由于俄歇復合過程為俄歇電子提供了內(nèi)部能量,從而減小了該電子所需克服勢壘的外部電勢能,使得器件的開啟電壓得到了大幅度降低。
附圖說明
圖1表示本發(fā)明的俄歇電子產(chǎn)生層及俄歇電子產(chǎn)生機制示意圖;
圖2表示本發(fā)明的基于俄歇電子注入的超低電壓OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖,其中的數(shù)字表示:1?、基板;2、陽極;3?、空穴注入層;?4、空穴傳輸層;5、發(fā)光層;6?、俄歇電子產(chǎn)生層;7、電子傳輸層;8、電子注入層;9、陰極;
圖3表示本發(fā)明的基于俄歇電子注入的超低電壓OLED器件的工作原理圖;
圖4表示實施例1中OLED器件的電流-電壓、亮度-電壓關(guān)系曲線;
圖5表示實施例1中OLED器件在不同亮度下的電致發(fā)光光譜圖;
圖6表示實施例2中OLED器件的亮度-電壓關(guān)系曲線;
圖7表示實施例2中OLED器件的電致發(fā)光光譜圖。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更為清晰易懂,下面結(jié)合附圖所示,做詳細說明如下。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于云南大學,未經(jīng)云南大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410755249.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種激光封裝設(shè)備及其封裝方法
- 下一篇:汽車夜間探測裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





