[發明專利]阻燃性好的抗靜電耐老化PC/PTT合金材料

在審

• 申請號: 201410755170.0
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN104845328A
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 青島佳億陽工貿有限公司
• 主分類號: C08L69/00
• 分類號: C08L69/00;C08L67/02;C08L85/02;C08L83/04;C08K13/06;C08K3/34;C08K3/22;C08K5/103;C08K5/42;B29C47/92
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技術領域

本發明涉及高分子材料技術領域，具體地說是一種阻燃性好的抗靜電耐老化PC/PTT合金材料。

背景技術

聚碳酸酯（PC）/聚對苯二甲酸丙二醇酯（PTT）是一種新型的塑料合金材料，它具有PC突出的沖擊性能及耐熱性和PTT的優良物理與化學性能，在汽車、家用電器、電子電氣、體育用品等領域將具有廣泛用途。但PC為非結晶聚合物，PTT為半結晶聚合物，PC/PTT合金屬于典型的非結晶與結晶聚合物共混體系，因而PC/PTT存在韌性較差、力學性能不穩定、耐老化性不強的問題，而且阻燃性也不好，抗靜電性不足，這些缺陷將大大限制了PC/PTT在各領域中的應用效果及應用范圍。

發明內容

本發明的目的在于提供一種綜合性能優良和成本低的阻燃性好的抗靜電耐老化PC/PTT合金材料。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：阻燃性好的抗靜電耐老化PC/PTT合金材料，其組分按質量百分數配比為：PC?40%～60%、PTT?20%～30%、E-MA-GMA?2%～4%、阻燃劑6%～12%、POE?5%～8%、抗靜電劑1%～3%、光穩定劑0.5%～2%、抗氧劑1010?0.1%～0.5%、抗氧劑168?0.1%～0.5%、PETS?0.1%～1%、納米高嶺土2%～10%。

所述PC為重均分子量在20000～40000g/mol的雙酚A型芳香族聚碳酸酯。

所述PTT為特性黏度0.7～1.1dL/g的聚對苯二甲酸丙二醇酯。

所述E-MA-GMA為乙烯-丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸縮水甘油酯三嵌段共聚物。

所述阻燃劑為質量比4：2：1的聚苯基膦酸二苯砜酯、聚二甲基硅氧烷與三氧化二銻的復配物。

所述POE為乙烯-辛烯共聚物。

所述抗靜電劑為質量比1：1的非離子型抗靜電劑丙三醇單硬脂酸酯和陰離子型抗靜電劑烷基磺酸鈉的復配物。

所述光穩定劑為2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮或2-羥基-4-正辛氧基二苯甲酮。

所述PETS為季戊四醇硬脂酸酯。

所述納米高嶺土為表面經過硅烷偶聯劑改性處理、且縱向厚度在20～50nm、片層尺寸在300～500nm范圍內的高嶺土納米粒子。

上述的阻燃性好的抗靜電耐老化PC/PTT合金材料的制備方法，包括以下步驟：

（1）、將PC和PTT在強制空氣循環烘箱中于110℃～130℃溫度下干燥6～8小時，待用；

（2）、按重量配比稱取干燥的PTT加入高速混合器中，并按重量配比加入抗靜電劑、光穩定劑、抗氧劑1010、抗氧劑168、PETS、納米高嶺土，使一起混合3～5分鐘，待充分混合均勻后，出料加入雙螺桿擠出機熔融擠出切粒、并干燥后，即制得一種基于PTT的抗靜電耐老化復合母料；

（3）、按重量配比稱取干燥的PC加入高速混合器中，再加入步驟（2）得到的抗靜電耐老化復合母料，并按重量配比加入E-MA-GMA、阻燃劑、POE，使一起混合3～5分鐘，待充分混合均勻后，出料加入雙螺桿擠出機中，在210℃～280℃溫度下經過熔融混煉后，擠出造粒，即得本發明的阻燃性好的抗靜電耐老化PC/PTT合金材料。

本發明的有益效果是，本發明綜合了PC和PTT各自的優點，并具有良好的抗靜電耐老化效果，而且阻燃性好，成本低，符合無鹵、環保和UL94?V-0級的阻燃要求，將大大提升了PC/PTT的應用效果和應用領域。

具體實施方式

下面結合具體實施例來進一步說明本發明的技術方案。

實施例1：

一種阻燃性好的抗靜電耐老化PC/PTT合金材料，其組分按質量百分數配比為：PC?44%、PTT?20%、E-MA-GMA?3%、阻燃劑12%、POE?5%、抗靜電劑3%、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮2%、抗氧劑1010?0.1%、抗氧劑168?0.1%、PETS?0.8%、納米高嶺土10%，所述PC為重均分子量在20000～40000g/mol的雙酚A型芳香族聚碳酸酯，所述PTT為特性黏度0.7～1.1dL/g的聚對苯二甲酸丙二醇酯，所述阻燃劑為質量比4：2：1的聚苯基膦酸二苯砜酯、聚二甲基硅氧烷與三氧化二銻的復配物，所述抗靜電劑為質量比1：1的非離子型抗靜電劑丙三醇單硬脂酸酯和陰離子型抗靜電劑烷基磺酸鈉的復配物，所述納米高嶺土為表面經過硅烷偶聯劑改性處理、且縱向厚度在20～50nm、片層尺寸在300～500nm范圍內的高嶺土納米粒子。