[發(fā)明專利]SIM卡裝置及用于SIM卡的ECC糾錯模塊

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410753529.0
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN105741880A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉曉燕
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹集成電路有限責(zé)任公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G06F12/08;G06K19/07
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及智能卡領(lǐng)域，特別是涉及一種大容量SIM(用戶身份識別卡)卡裝置。本發(fā)明還涉及一種用于SIM卡的ECC糾錯模塊。

背景技術(shù)

大容量SIM卡主要是由運(yùn)營商倡導(dǎo)的，旨在為用戶提供更豐富的增值服務(wù)，如移動支付，媒體下載，預(yù)裝應(yīng)用軟件以及信息管理等等。隨著智能手機(jī)的廣泛應(yīng)用，運(yùn)營商希望通過大容量SIM卡為用戶提供更豐富的增值服務(wù)。

NandFlash(與非型閃存)以其大容量和低價格等優(yōu)勢成為大容量SIM卡設(shè)計方案的首選。

大容量SIM卡的大容量主要體現(xiàn)在NandFlash。NandFlash技術(shù)在最近幾年里得到了迅猛的發(fā)展，由1bit(比特)單元的SLC(SingleLevelCell單層式存儲)技術(shù)發(fā)展到了2bit單元甚至3bit單元的MLC(MultiLevelCell多層式存儲)技術(shù)，同時其生產(chǎn)工藝也不斷進(jìn)步。隨著技術(shù)的發(fā)展，NandFlash容量的不斷增大，單位容量的成本越來越低，應(yīng)用NandFlash的領(lǐng)域也越來越多。目前2bit單元和3bit單元的NandFlash使用最為廣泛，但是這種類型的NandFlash可靠性比較差，據(jù)統(tǒng)計，采用MLCNandFlash閃存存取數(shù)據(jù)的誤碼率大概為10^-5，為保證讀取數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，ECC(ErrorCorrectCode錯誤檢查和糾正)糾錯算法必不可少。

目前主流的ECC實(shí)現(xiàn)都是采用BCH(Bose、Ray-Chaudhuri與Hocquenghem的縮寫，一種糾錯碼)算法實(shí)現(xiàn)。BCH算法主要由三個串行模塊構(gòu)成：接收碼字計算伴隨式模塊；利用迭代算法確定錯誤位置多項式模塊以及錢搜索確定錯誤值模塊。設(shè)計人員通常根據(jù)不同的需求和設(shè)計特點(diǎn)，選擇不同的設(shè)計方案。大容量SIM卡項目需要支持512Gbit片外NandFlash，ECC糾錯能力需達(dá)到每1Kbyte(字節(jié))數(shù)據(jù)支持24bit以上糾錯。但SIM卡芯片本身是低成本芯片，而且受面積制約，因此，在大容量SIM卡項目中，需要面積小且糾錯性能高兼具的ECC設(shè)計方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種SIM卡裝置，能使SIM卡性能和面積資源達(dá)到最佳匹配，有效減小芯片面積；為此，本發(fā)明還要提供一種用于SIM卡的ECC糾錯模塊。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的SIM卡裝置，包括：

一NandFlash控制器，與所述NandFlash控制器相連接的一數(shù)據(jù)緩存模塊；

所述NandFlash控制器，包括：一NandFlashECC接口控制器，與所述NandFlashECC接口控制器相連接的ECC糾錯模塊；所述ECC糾錯模塊，包括一伴隨式計算模塊、一BM(伯利坎普-梅西迭代算法)迭代模塊和一錯誤位置計算模塊；

所述NandFlashECC接口控制器，用于實(shí)現(xiàn)AHB(高級高性能總線)總線與片外NandFlash之間以及AHB總線與ECC糾錯模塊之間的數(shù)據(jù)交互；

所述伴隨式計算模塊，用于計算接收碼字的伴隨式的系數(shù)，以備在計算錯誤位置多項式的迭代算法中使用；

所述BM迭代模塊，與所述伴隨式計算模塊相連接，用于確定求解最終錯誤位置的錯誤位置多項式；

所述錯誤位置計算模塊，與所述伴BM迭代模塊相連接，用于求解錯誤位置多項式，獲得錯誤位置的值；該錯誤位置計算模塊的時鐘頻率采用伴隨式計算模塊和BM迭代模塊的倍頻時鐘；

所述數(shù)據(jù)緩存模塊，用于存儲每頁NandFlash的數(shù)據(jù)。

所述用于SIM卡的ECC糾錯模塊，包括：一伴隨式計算模塊、一BM迭代模塊和一錯誤位置計算模塊；

所述伴隨式計算模塊，用于計算接收碼字的伴隨式的系數(shù)，以備在計算錯誤位置多項式的迭代算法中使用；

所述BM迭代模塊，與所述伴隨式計算模塊相連接，用于確定求解最終錯誤位置的錯誤位置多項式；

所述錯誤位置計算模塊，與所述伴BM迭代模塊相連接，用于求解錯誤位置多項式，獲得錯誤位置的值；該錯誤位置計算模塊的時鐘頻率采用伴隨式計算模塊和BM迭代模塊的倍頻時鐘。

本發(fā)明在現(xiàn)有的SIM卡產(chǎn)品中通過增加NandFlash接口控制邏輯(NandFlashECC接口控制器)，ECC糾錯模塊以及一個片內(nèi)存儲器(即數(shù)據(jù)緩存模塊)組成了一個大容量SIM卡的設(shè)計架構(gòu)。