[發明專利]有機發光二極管的像素結構在審
| 申請號: | 201410753319.1 | 申請日: | 2014-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN104465705A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 李佳樺 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;李巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 像素 結構 | ||
1.一種有機發光二極管的像素結構,定義有一第一區與一第二區且其特征在于,包含:
一基板,橫跨該第一區與該第二區;
一第一控制元件,設置于該基板之上;
一第一電極層,設置于該第一區,電性耦接該第一控制元件,并包含一反射層;
一第一發光層,設置于該第一電極層上,電性耦接該第一電極層;
一第二控制元件,設置于該基板之上;
一第二電極層,透明且設置于該第二區,電性耦接該第二控制元件;
一第二發光層,設置于該第二電極層上,電性耦接該第二電極層;以及
一對應電極層,設置于該第一發光層與該第二發光層上,電性耦接該第一發光層與該第二發光層。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,該第一控制元件與該第二控制元件設置于該第一區。
3.如權利要求1所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,該第一控制元件包含一第一薄膜晶體管,該第一薄膜晶體管包含一第一柵極、一第一源極、一第一漏極以及一第一通道,該第一控制元件于該第一源極或該第一漏極電性耦接該第一電極層,該第一柵極設置于該基板上,該第一通道電性耦接該第一源極與該第一漏極;該第二控制元件包含一第二薄膜晶體管,該第二薄膜晶體管包含一第二柵極、一第二源極、一第二漏極以及一第二通道,該第二控制元件于該第二源極與該第二漏極其中之一電性耦接該第二電極層,該第二柵極設置于該基板上,該第二通道電性耦接該第二源極與該第二漏極。
4.如權利要求3所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,該第二控制元件更包含一開關單元,該開關單元用以受控于一開關信號,該第二源極與該第二漏極其中之另一電性耦接該開關單元。
5.如權利要求3所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,該第二控制元件更包含一開關單元,該開關單元受控于一開關信號且電性耦接于該第二電極層與該第二薄膜晶體管之間。
6.如權利要求3至5任一項所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,該第二柵極電性耦接該第一柵極。
7.如權利要求3至5任一項所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,該第一柵極電性耦接一第一數據線,該第二柵極電性耦接一第二數據線,該第一數據線與該第二數據線分別用以提供該第一柵極與該第二柵極相異的兩數據信號。
8.如權利要求3至5任一項所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,更包含一柵極絕緣層,該柵極絕緣層部分設置于該基板上,該第一控制元件與該第二控制元件部份設置于該柵極絕緣層上。
9.如權利要求1所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,更包含一隔絕層,該隔絕層設置于該基板之上并設置于該第一發光層與該第二發光層之間。
10.如權利要求1所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,更定義有一第三區且更包含:
一第三控制元件,設置于該基板之上;
一第三電極層,透明且設置于該第三區,電性耦接該第三控制元件;以及
一第三發光層,設置于該第三電極層上,電性耦接該第三電極層;
其中該基板更橫跨該第三區。
11.如權利要求1所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,該第二區為透明或半透明。
12.如權利要求1所述的有機發光二極管的像素結構,其特征在于,該第一發光層與該第二發光層用以發出相同顏色的光。
13.一種顯示器,其特征在于,包含:
多個如權利要求1所述的像素結構,以矩陣方式排列;以及
一驅動單元,用以根據一第一影像數據控制該些第一控制元件,使該些第一發光層根據該第一影像數據產生一不透明的第一影像,并且用以根據一第二影像數據控制該些第二控制元件,使該些第二發光層根據該第二影像數據產生一透明或者半透明的第二影像。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





