[發(fā)明專(zhuān)利]一種直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410752136.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104538288A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡平安;張甲;陳曉爽;鄭威;馮偉;劉光波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/04 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/04;H01L21/67;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 哈爾濱龍科專(zhuān)利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
| 地址: | 150000 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 直接 生長(zhǎng) 原子 尺度 二維 半導(dǎo)體 異質(zhì)結(jié) 裝置 方法 | ||
1.一種直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,包括氣氛調(diào)節(jié)裝置、石英管、加熱裝置和真空調(diào)節(jié)裝置,其特征在于所述裝置還包括快速切換裝置,石英管的中段位于加熱裝置內(nèi)部,石英管的左右兩端設(shè)置有快速切換裝置,所述快速切換裝置包括切換桿、后端蓋、前端蓋、第一套筒、第二套筒、第一耐高溫O型圈、第二耐高溫O型圈和石英構(gòu)件,其中:后端蓋與前端蓋相連,前端蓋后端與后端蓋前端之間設(shè)置有第二套筒和第二耐高溫O型圈,第二套筒和第二耐高溫O型圈套在石英管左右兩端的外表面上;切換桿包括前驅(qū)物切換桿和基底切換桿,前驅(qū)物切換桿位于石英管左側(cè),其個(gè)數(shù)至少為兩個(gè),基底切換桿位于石英管右側(cè),其個(gè)數(shù)至少為一個(gè),切換桿的一端經(jīng)后端蓋與位于石英管內(nèi)部的石英構(gòu)件相連,切換桿與后端蓋之間設(shè)置有第一套筒和第一耐高溫O型圈;位于石英管左端的后端蓋上開(kāi)有進(jìn)氣口,進(jìn)氣口與氣氛調(diào)節(jié)裝置相連,位于石英管右端的后端蓋上開(kāi)有出氣口,出氣口與真空調(diào)節(jié)裝置相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,其特征在于所述后端蓋與前端蓋通過(guò)均布在圓周上的螺釘相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,其特征在于所述切換桿通過(guò)連接套筒和連接螺釘與石英構(gòu)件相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,其特征在于所述加熱裝置可以實(shí)現(xiàn)室溫至1500℃范圍內(nèi)任意溫度的精確控制,控溫精度±0.1~0.5℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,其特征在于所述加熱裝置的升溫速率和降溫速率可分別獨(dú)立設(shè)定為0.1~25℃/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,其特征在于所述氣氛調(diào)節(jié)裝置由氣源、流量控制器和混氣罐構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,其特征在于所述氣源為甲烷、乙烯、乙炔、氬氣、氮?dú)狻⒑狻錃狻睔庵械囊环N或幾種;流量控制器的量程為0~5000sccm,分辨力0.1~1sccm,控制精度±0.1~1.5%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,其特征在于所述真空調(diào)節(jié)裝置能達(dá)到的極限真空度為10-4~1Pa,抽氣速率1~50L/min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的裝置,其特征在于所述石英管的外徑為10~300mm。
10.一種利用權(quán)利要求1-9任一權(quán)利要求所述裝置直接生長(zhǎng)原子尺度二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于所述方法步驟如下:
一、根據(jù)需要制備的材料類(lèi)型,確定前驅(qū)物切換桿和基底切換桿的個(gè)數(shù),并將反應(yīng)前驅(qū)物和反應(yīng)基底分別放置在相應(yīng)的石英構(gòu)件上;
二、通過(guò)真空調(diào)節(jié)裝置使石英管內(nèi)空氣盡量排除;
三、通過(guò)進(jìn)氣口通入一定流量的載氣,利用氣氛調(diào)節(jié)裝置和真空調(diào)節(jié)裝置保持石英管內(nèi)壓力在實(shí)驗(yàn)需要的值;
四、將與基底切換桿相連的石英構(gòu)件位于反應(yīng)基底加熱溫區(qū),前驅(qū)物切換桿外拉,使與前驅(qū)物切換桿相連的石英構(gòu)件離開(kāi)反應(yīng)前驅(qū)物加熱溫區(qū),打開(kāi)加熱裝置,設(shè)定反應(yīng)前驅(qū)物和反應(yīng)基底所需要的溫度和保持時(shí)間,進(jìn)行升溫;
五、升溫至設(shè)定的溫度,移動(dòng)第一個(gè)前驅(qū)物切換桿使石英構(gòu)件到達(dá)反應(yīng)前驅(qū)物加熱溫區(qū),蒸發(fā)第一種前驅(qū)物生長(zhǎng)第一種物質(zhì),反應(yīng)至設(shè)定時(shí)間后,移動(dòng)該切換桿使石英構(gòu)件離開(kāi)反應(yīng)前驅(qū)物加熱溫區(qū),結(jié)束第一種物質(zhì)蒸發(fā);
六、待加熱裝置的溫度至設(shè)定溫度,移動(dòng)第二個(gè)前驅(qū)物切換桿使石英構(gòu)件到達(dá)反應(yīng)前驅(qū)物加熱溫區(qū)位置,蒸發(fā)第二種前驅(qū)物生長(zhǎng)第二種物質(zhì),反應(yīng)至設(shè)定時(shí)間后,移動(dòng)該切換桿使石英構(gòu)件離開(kāi)反應(yīng)前驅(qū)物加熱溫區(qū),結(jié)束第二種物質(zhì)蒸發(fā),從而在第一種反應(yīng)物質(zhì)邊緣或者表面外延生產(chǎn)出第二中物質(zhì),從而形成兩種物質(zhì)的異質(zhì)結(jié);
七、根據(jù)前驅(qū)物切換桿的數(shù)量重復(fù)步驟六;
八、結(jié)束反應(yīng),按設(shè)定降溫速率降溫至室溫。
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





