[發明專利]高壓隔離環結構

有效

• 申請號: 201410748615.2
• 申請日: 2014-12-09
• 公開（公告）號: CN104465722A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 王惠惠;金鋒
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種高壓隔離環結構，包含用于電平位移的高耐壓場效應晶體管及高壓隔離環，所述的高壓隔離環為閉環結構，且形成有彎曲的弧度區；位于閉環內的為高端電壓區域，位于閉環外的為低端電壓區域；其特征在于：所述的高壓隔離環為無高壓過渡區的單一的閉環結構；

所述的高壓場效應晶體管位于閉環結構的弧度區，其與所述高壓隔離環共用漏區，其源極及柵極位于高壓隔離環的外側。

2.如權利要求1所述的高壓隔離環結構，其特征在于：所述的高壓場效應晶體管具有自保護功能，其多晶硅柵極不覆蓋耐壓漂移區上方的局部場氧化區；在柵極與局部場氧化區之間的外延層中具有P阱，P阱中有重摻雜P型區和重摻雜N型區，P阱與局部場氧化區之間的硅面上具有柵氧化層及覆蓋在柵氧化層之上的多晶硅柵極，所述多晶硅柵極覆蓋部分局部場氧化區，所述的重摻雜P型區、重摻雜N型區及多晶硅柵極引出后一起短接到地電位。

3.如權利要求2所述的高壓隔離環結構，其特征在于：所述的高壓場效應晶體管的源極及柵極放置于低端電壓區域，位于高壓隔離環的源極之外；與高壓隔離環共用漏極及耐壓漂移區。

4.如權利要求2所述的高壓隔離環結構，其特征在于：高壓場效應晶體管的源極的P阱、P阱底部的N型外延以及P型襯底形成寄生JFET結構，使高壓場效應晶體管的漏極電位具有自夾斷功能。

5.如權利要求1所述的高壓隔離環結構，其特征在于：所述的高壓隔離環采用高耐壓MOS常關斷狀態結構，僅作為電路耐壓。

6.如權利要求5所述的高壓隔離環結構，其特征在于：所述的高壓隔離環的柵極和源極連接，并與地端直接短接，使MOS一直處于關斷狀態。

7.如權利要求1所述的高壓隔離環結構，其特征在于：所述的高壓場效應晶體管和高壓隔離環的耐壓均由同一耐壓漂移區來實現。