[發(fā)明專利]一種Cu納米顆粒兩步輔助刻蝕制備納米多孔硅的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410748516.4
• 申請(qǐng)日: 2014-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN104576353A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周陽;曹銘;李紹元;馬文會(huì);謝克強(qiáng);伍繼君;魏奎先;劉大春;楊斌;戴永年
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆明理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種Cu納米顆粒兩步輔助刻蝕制備納米多孔硅的方法，其特征在于具體步驟如下：

步驟1、硅片預(yù)處理：將硅片依次用丙酮、甲苯、乙醇、去離子水分別超聲清洗10～20min；

步驟2、硅片表面的氧化處理：將步驟1預(yù)處理過的硅片用物理或化學(xué)的方法進(jìn)行表面氧化處理形成氧化層；

步驟3、沉積溶液的配制：將濃度為0.1～10wt.%銅離子溶液、濃度為1～50wt.%氫氟酸和去離子水按體積比（0.01～50）：（0.01～50）：（0～80）配制得到沉積溶液；

步驟4、刻蝕液的配制：將濃度為1～50wt.%的氫氟酸、濃度為1～50wt.%氧化試劑和去離子水按照體積比（0.01～50）:（0.01～50）:（0～80）配制得到刻蝕液；

步驟5、納米多孔硅的制備：將步驟2形成氧化層的硅片放置在步驟3中的沉積溶液中，在溫度為1～90℃下化學(xué)沉積0～1000s，然后取出硅片，將硅片置于步驟4的刻蝕液中，在溫度為1～99℃下刻蝕1～1000min，刻蝕完成后放到質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15～90wt.%硝酸中浸泡1～60min后取出，用大量去離子水沖洗后氮?dú)獯蹈杉吹玫郊{米多孔硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu納米顆粒兩步輔助刻蝕制備納米多孔硅的方法，其特征在于：所述步驟1中的硅片為單晶或多晶、n型或p型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu納米顆粒兩步輔助刻蝕制備納米多孔硅的方法，其特征在于：所述步驟3中銅離子溶液為CuCl₂、CuSO₄或Cu(NO₃)₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu納米顆粒兩步輔助刻蝕制備納米多孔硅的方法，其特征在于：所述步驟4中的氧化試劑H₂O₂、HNO₃、Fe(NO₃)₃、FeCl₃、KMnO₄、KBrO₃、K₂Cr₂O₇或Na₂S₂O₈。