[發明專利]溫度穩定電路

有效

• 申請號: 201410745900.9
• 申請日: 2014-12-09
• 公開（公告）號: CN104734644B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: D·盧卡施維奇
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H01L23/34;H01L27/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種集成電路，包括：

溫度穩定電路；

溫度傳感器，經配置以采集和所述溫度穩定電路相關聯的溫度的指示；

加熱器，經配置以基于溫度的指示加熱所述溫度穩定電路；和

與所述溫度穩定電路、所述溫度傳感器和所述加熱器不同的其它電路元件；

其中，所述其它電路元件、所述溫度穩定電路、所述溫度傳感器和所述加熱器被包含在同一集成電路上；

其中，所述溫度傳感器、所述加熱器和所述溫度穩定電路熱隔離于所述其它電路元件；

其中，所述加熱器經配置以接收溫度控制信號并基于所述溫度控制信號為所述溫度穩定電路設置操作溫度，并且被包含在所述集成電路上的不同的溫度穩定電路能夠基于加熱器接收的溫度控制信號被加熱到不同的操作溫度。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中，所述溫度穩定電路包括帶隙基準電路。

3.如權利要求1所述的集成電路，其中，所述溫度穩定電路包括放大器的至少一部分。

4.如權利要求1所述的集成電路，進一步包括：絕熱側壁和絕緣層；

其中，所述絕熱側壁經配置以將所述溫度傳感器、加熱器和所述溫度穩定電路從其它電路元件熱隔離；和

其中，所述絕熱側壁延伸至所述絕緣層。

5.如權利要求1所述的集成電路，進一步包括圍繞所述溫度穩定電路、所述溫度傳感器和所述加熱器的嵌套絕熱側壁，其中，所述其它電路元件在嵌套絕熱側壁的外側。

6.一種溫度穩定的裝置，包括：

半導體材料中的放大器的至少一部分；

溫度傳感器，經配置以收集所述半導體材料中的溫度的指示；

第一加熱器，在所述半導體材料中并經配置以基于溫度的指示而加熱所述放大器的所述至少一部分；和

至少一個絕熱側壁，經配置以將絕熱側壁的一側上的第一加熱器、溫度傳感器以及所述放大器的所述至少一部分從絕熱側壁的相對側上的其它電路元件熱隔離，其中，所述放大器的所述至少一部分和所述其它電路元件被包含在同一集成電路上；

其中，所述第一加熱器經配置以接收溫度控制信號并基于所述溫度控制信號為所述放大器的所述至少一部分設置操作溫度，并且所述放大器的不同部分能夠基于第一加熱器接收的溫度控制信號被加熱到不同的操作溫度。

7.如權利要求6所述的裝置，其中，所述放大器是對數放大器。

8.如權利要求6所述的裝置，其中，所述放大器整個被絕熱側壁環繞。

9.如權利要求8所述的裝置，進一步包括：所述絕熱側壁內的帶隙基準電路。

10.如權利要求6所述的裝置，其中，絕熱側壁環繞所述放大器的所述至少一部分，所述絕熱側壁包括所述至少一個絕熱側壁。

11.如權利要求6所述的裝置，進一步包括：設置在所述半導體材料下面的絕緣層。

12.如權利要求11所述的裝置，其中所述絕熱側壁從所述半導體材料的表面延伸到所述絕緣層。

13.如權利要求6所述的裝置，其中，所述放大器至少包括第一級和第二級，其中所述放大器的所述至少一部分包括第一級，并且其中所述第二級在絕熱側壁的所述相對側。

14.如權利要求13所述的裝置，其中，所述第二級在由絕熱側壁從所述半導體材料中分離出來的第二半導體材料中。

15.如權利要求14所述的裝置，其中，所述第二級由第二絕熱側壁包圍。