[發(fā)明專利]一種超小芯距的光纖陣列

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410744413.0
• 申請日: 2014-12-09
• 公開（公告）號: CN104391352A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝卉;屈文俊;劉光清;楊睿;凌九紅;周婷婷;夏源;孫莉萍;胡強(qiáng)高
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號: G02B6/04
• 分類號: G02B6/04;G02B6/24;G02B6/36
• 代理公司: 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.一種超小芯距的光纖陣列，包括襯底、光纖、蓋片，襯底前端設(shè)置有多個(gè)槽體組成的限位槽，光纖固定設(shè)置于限位槽的槽體中，蓋片位于限位槽中的光纖上方，其特征在于：所述光纖采用抗微彎光纖，該抗微彎光纖經(jīng)包層處理后設(shè)置于限位槽的槽體中，包層處理后的光纖包括可實(shí)現(xiàn)無泄露通光的纖芯區(qū)域，該區(qū)域的包層厚度薄且均勻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超小芯距的光纖陣列，其特征在于：所述纖芯區(qū)域包層處理后的外徑為25-125微米，其插入損耗劣化指標(biāo)小于0.5dB。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種超小芯距的光纖陣列，其特征在于：所述抗彎光纖的未經(jīng)包層處理的區(qū)域和經(jīng)包層處理的纖芯區(qū)域之間設(shè)置有錐形的過渡區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超小芯距的光纖陣列，其特征在于：所述抗微彎光纖采用包層腐蝕方式進(jìn)行光纖包層處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超小芯距的光纖陣列，其特征是：所述抗微彎光纖數(shù)量為1根或1根以上，所述抗微彎光纖以一維方向并排設(shè)置于限位槽內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超小芯距的光纖陣列，其特征是：所述抗微彎光纖成等間距排列或不等間距排列。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超小芯距的光纖陣列，其特征是：所述限位槽的槽體采用V型槽或者矩形槽或者U型槽或者圓形槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種超小芯距的光纖陣列，其特征是：所述抗微彎光纖采用符合標(biāo)準(zhǔn)G.657A1、G.657A2、G.657A3的光纖。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超小芯距的光纖陣列，其特征是：所述抗微彎光纖中未經(jīng)包層處理的光纖區(qū)域設(shè)置于襯底后端，所述抗微彎光纖上涂有保護(hù)性尾膠，或者抗微彎光纖外部設(shè)置有金屬外殼覆蓋保護(hù)。