[發明專利]三維三端口位單元及其組裝方法

在審

• 申請號: 201410743598.3
• 申請日: 2014-12-08
• 公開（公告）號: CN104700888A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 林子貴;廖宏仁;陳炎輝;吳經緯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413;G11C11/417
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種三維三端口位單元，包括：

寫部分，設置在第一層級上，所述寫部分包括多個寫端口元件；以及

讀部分，設置在第二層級上，所述第二層級相對于所述第一層級垂直堆疊且使用至少一個通孔耦合至所述第一層級，所述第二層級包括多個讀端口元件。

2.根據權利要求1所述的三維三端口位單元，其中，所述寫部分還包括多條寫位線，每條寫位線均在所述第一層級的第一導電層中沿著第一方向延伸，并且所述讀部分還包括多條讀位線，每條讀位線均在所述第二層級的第一導電層中沿著所述第一方向延伸。

3.根據權利要求2所述的三維三端口位單元，其中，所述寫部分還包括至少一條寫字線，所述寫字線在所述第一層級的第二導電層中沿著不同于所述第一方向的第二方向延伸，并且所述讀部分還包括至少一條讀字線，所述讀字線在所述第二層級的第二導電層中沿著所述第二方向延伸。

4.根據權利要求1所述的三維三端口位單元，其中，所述多個讀端口元件包括多個讀端口柵極。

5.根據權利要求4所述的三維三端口位單元，其中，所述讀部分還包括設置在所述第二層級上且耦合至所述多個讀端口柵極的至少一個鎖存反相器。

6.根據權利要求4所述的三維三端口位單元，其中，所述多個寫部分元件包括多個寫端口柵極。

7.根據權利要求6所述的三維三端口位單元，其中，所述三端口位單元包括十個晶體管單元，所述讀端口元件包括四個晶體管結構且所述寫端口元件包括六個晶體管結構。

8.根據權利要求6所述的三維三端口位單元，其中，所述多個讀端口柵極和所述多個寫端口柵極中的每一個均為NMOS器件和PMOS器件中的一種。

9.一種半導體存儲器，包括：

第一層級，包括第一端口陣列部分；

第二層級，使用至少一個通孔相對于所述第一層級垂直堆疊，所述第二層級包括第二端口陣列部分；以及

至少一個三維三端口位單元，包括：

第一部分，設置在所述第一端口陣列部分上，所述第一部分包括多個寫端口元件；和

第二部分，設置在所述第二端口陣列部分上，所述第二部分包括多個讀端口元件。

10.一種方法，包括：

在第一層級上設置三維三端口位單元的寫部分，所述寫部分包括多個寫端口元件；

在相對于所述第一層級垂直堆疊的第二層級上設置所述三維三端口位單元的讀部分，所述讀部分包括多個讀端口元件；以及

使用至少一個通孔將所述第一層級耦合至所述第二層級。