[發(fā)明專利]靜電放電保護(hù)元件的模擬等效電路及其模擬方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410742279.0 | 申請日： | 2014-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN105428350A | 公開（公告）日： | 2016-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許健;楊紹明;艾拉卡納哈里·布塔斯哇米·賀瑪;莫里納·阿雅迪普;賴明芳;陳俊任 | 申請（專利權(quán)）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 賈磊 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靜電 放電 保護(hù) 元件 模擬 等效電路 及其 方法 | ||
1.一種靜電放電保護(hù)元件的模擬等效電路，其特征在于，該模擬等效電路包括：
一MOS晶體管，具有一等效漏極、一等效柵極、一等效源極及一等效襯底，該等效源極耦接一等效源極接腳；
一雙載子接面晶體管，具有一等效集極、一等效射極及一等效基極，其中該等效集極耦接該等效漏極，該等效射極耦接該等效源極，該等效基極耦接該等效襯底；
一第一電壓電路，耦接于一等效漏極接腳、該等效源極接腳與該等效漏極之間，用以提供一等效漏極電壓至該等效漏極；
一第二電壓電路，耦接于一等效柵極接腳、該等效源極接腳與該等效柵極之間，用以提供一等效柵極電壓至該等效柵極；以及
一第一電流電路，耦接于該等效漏極、一等效襯底接腳與該等效襯底之間，用以提供一等效襯底電流至該等效襯底。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)元件的模擬等效電路，其特征在于，該第一電壓電路包括：
一第一電阻，其第一端耦接該等效漏極接腳；
一第二電阻，耦接于該第一電阻的第二端與該等效源極接腳之間；以及
一第三電阻，耦接于該第一電阻的第二端與該等效漏極之間。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)元件的模擬等效電路，其特征在于，該第二電壓電路包括：
一第四電阻，耦接于該等效柵極接腳與該等效柵極之間；以及
一第五電阻，耦接于該等效柵極與該等效源極接腳之間。
4.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)元件的模擬等效電路，其特征在于，該第一電流電路包括：
一第六電阻，其一端耦接該等效襯底；
一二極管，耦接于該第六電阻的另一端與該等效漏極之間；以及
一第七電阻，耦接于該等效襯底與該等效襯底接腳之間。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)元件的模擬等效電路，其特征在于，該MOS晶體管及該雙載子接面晶體管分別為一N型MOS晶體管及一NPN雙載子接面晶體管，或是，該MOS晶體管及該雙載子接面晶體管分別為一P型MOS晶體管及一PNP雙載子接面晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)元件的模擬等效電路，其特征在于，該靜電放電保護(hù)元件為一柵極接地NNOS晶體管、柵極電阻接地NNOS晶體管或使用RC反相器的NMOS晶體管。
7.一種模擬靜電放電保護(hù)元件的方法，其特征在于，包括：
提供具有一等效漏極、一等效柵極、一等效源極及一等效襯底的一MOS晶體管，并且使該等效源極耦接一等效源極接腳；
提供具有一等效集極、一等效射極及一等效基極的一雙載子接面晶體管，并且使該等效集極耦接該等效漏極，使該等效射極耦接該等效源極，使該等效基極耦接該等效襯底；
提供一第一電壓電路，并且使該第一電壓電路耦接于一等效漏極接腳、該等效源極接腳與該等效漏極之間，其中該第一電壓電路提供一等效漏極電壓至該等效漏極；
提供一第二電壓電路，并且使該第二電壓電路耦接于一等效柵極接腳、該等效源極接腳與該等效柵極之間，其中該第二電壓電路提供一等效柵極電壓至該等效柵極；以及
提供一第一電流電路，并且使該第一電流電路耦接于該等效漏極、一等效襯底接腳與該等效襯底之間，其中該第一電流電路提供一等效襯底電流至該等效襯底。
8.如權(quán)利要求7所述的模擬靜電放電保護(hù)元件的方法，其特征在于，提供該第一電壓電路的步驟包括：
提供一第一電阻，并且使該第一電阻的第一端耦接該等效漏極接腳；
提供一第二電阻，并且使該第二電阻耦接于該第一電阻的第二端與該等效源極接腳之間；以及
提供一第三電阻，并且使該第三電阻耦接于該第一電阻的第二端與該等效漏極之間。
9.如權(quán)利要求7所述的模擬靜電放電保護(hù)元件的方法，其特征在于，提供該第二電壓電路的步驟包括：
提供一第四電阻，并且使該第四電阻耦接于該等效柵極接腳與該等效柵極之間；以及
提供一第五電阻，并且使該第五電阻耦接于該等效柵極與該等效源極接腳之間。
10.如權(quán)利要求7所述的模擬靜電放電保護(hù)元件的方法，其特征在于，提供該第一電流電路的步驟包括：
提供一第六電阻，并且使該第六電阻的一端耦接該等效襯底；
提供一二極管，并且使該二極管耦接于該第六電阻的另一端與該等效漏極之間；以及
提供一第七電阻，并且使該第七電阻耦接于該等效襯底與該等效襯底接腳之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
