[發(fā)明專利]用于在裸片分離過程期間減小背面裸片損壞的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410740485.8
• 申請(qǐng)日: 2014-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN104701156B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 入口正一;中西騰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德州儀器公司
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種鋸割半導(dǎo)體晶片的方法，其包括：

提供具有有源裝置表面及背表面的半導(dǎo)體晶片；

研磨所述晶片的所述背表面直到所述晶片達(dá)到所要厚度；

將錨定材料應(yīng)用到所述晶片的所述背表面；

使所述錨定材料固化；

將所述半導(dǎo)體晶片定位于晶片鋸割設(shè)備中，所述晶片鋸割設(shè)備包含鋸割刀片及物理上支撐所述半導(dǎo)體晶片的可移動(dòng)支撐結(jié)構(gòu)，其中所述半導(dǎo)體晶片是使用包含錨定材料及切片膠帶的多個(gè)連接層與所述支撐結(jié)構(gòu)耦合；

借助所述鋸割刀片切割所述晶片及所述錨定材料，其中在所述切割操作期間，所述鋸割刀片的接觸部分切割所述切片膠帶的一部分；

使用所述切割操作單切所述半導(dǎo)體晶片以形成多個(gè)集成電路裸片，每一集成電路裸片具有第一表面、相對(duì)第二表面及側(cè)表面，每一集成電路裸片的所述第二表面覆蓋有所述錨定材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

將經(jīng)單切裸片中的第一裸片定位于襯底的裝置區(qū)域上，其中下伏于所述第一裸片下的所述錨定材料幫助將所述第一裸片粘附到所述襯底；

將所述第一裸片電連接到所述襯底；以及

包封所述襯底及所述裸片的部分以形成集成電路封裝。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中：

所述襯底為包含多個(gè)裝置區(qū)域的引線框架面板；

所述方法進(jìn)一步包括將所述多個(gè)集成電路裸片定位于所述引線框架面板的所述裝置區(qū)域上；

將所述多個(gè)集成電路裸片電連接到所述引線框架面板；

包封所述引線框架面板及所述集成電路裸片的部分以形成經(jīng)模制面板；以及

單切所述經(jīng)模制面板以形成多個(gè)集成電路封裝，每一集成電路封裝包含所述集成電路裸片中的至少一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述切割操作不涉及完全切穿所述切片膠帶，且其中所述切片膠帶經(jīng)布置以幫助在所述切割操作之后將經(jīng)單切裸片固持在一起。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述錨定材料由填充有導(dǎo)電填料或非導(dǎo)電填料的聚合物組成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述錨定材料具有在室溫下大于2400MPa的彈性模數(shù)、在室溫下大于20MPa的剪切強(qiáng)度及等于或大于硅的硬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在介于150℃與180℃之間的溫度下使所述錨定材料固化達(dá)最少1小時(shí)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述錨定材料應(yīng)用是選自由層壓、印刷或旋涂組成的群組。