[發明專利]透射型靶和設有透射型靶的X射線發生管

有效

• 申請號: 201410740256.6
• 申請日: 2014-12-05
• 公開（公告）號: CN104701118A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 山田修嗣;塚本健夫;小倉孝夫;吉武惟之;五十嵐洋一
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01J35/04
• 分類號: H01J35/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 曾琳

1.一種透射型靶，包括：

靶層；和

透射基板，所述透射基板被配置為支撐所述靶層，

其中，所述透射基板包括彼此面對的第一表面和第二表面，并且由多晶金剛石形成，

其中，所述第一表面包括具有第一平均晶粒直徑的多晶金剛石，所述第一平均晶粒直徑小于所述第二表面中所包括的多晶金剛石的第二平均晶粒直徑，并且

其中，所述靶層由所述第一表面或所述第二表面支撐。

2.根據權利要求1所述的透射型靶，其中，所述靶層由所述第一表面支撐，所述第一表面包括具有所述第一平均晶粒直徑的多晶金剛石。

3.根據權利要求2所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直徑與所述第二平均晶粒直徑的比率為0.75或更低。

4.根據權利要求3所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直徑與所述第二平均晶粒直徑的比率為0.2或更低。

5.根據權利要求2所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直徑在5μm與50μm之間。

6.根據權利要求2所述的透射型靶，其中，所述第二平均晶粒直徑為100μm或更大。

7.根據權利要求2所述的透射型靶，其中，所述透射基板具有在基板厚度方向上從第一表面朝向第二表面延伸的柱形晶粒。

8.根據權利要求1所述的透射型靶，其中，所述靶層由第二表面支撐，所述第二表面包括具有所述第二平均晶粒直徑的多晶金剛石。

9.根據權利要求8所述的透射型靶，其中，所述第二平均晶粒直徑與所述第一平均晶粒直徑的比率為1.3或更高。

10.根據權利要求9所述的透射型靶，其中，所述第二平均晶粒直徑與所述第一平均晶粒直徑的比率為5或更高。

11.根據權利要求8所述的透射型靶，其中，形成所述透射基板的多晶金剛石的晶粒場包含sp2鍵合。

12.根據權利要求11所述的透射型靶，其中，所述sp2鍵合在拉曼光譜法中由1580cm^-1的拉曼移位確定。

13.根據權利要求1所述的透射型靶，其中，形成所述透射基板的多晶金剛石在基板厚度方向上具有晶粒直徑分布，并且

當所述晶粒直徑分布在晶粒直徑軸上按照采樣數量n進行采樣時，平均晶粒直徑Dm由以下表達式確定：

Dm=Σi=1n(DiSi)Σi=1n(Si)]]>

其中，大于晶粒直徑D_i-1且不大于D_i的晶粒直徑是D_i，大于晶粒直徑D_i-1且不大于D_i的累積表面積是S_i，i是從1到n的整數，晶粒直徑D₀是不小于0的實際數字。

14.根據權利要求13所述的透射型靶，其中，平均晶粒直徑通過電子背散射衍射法而確定。