[發明專利]一種疏脈半蒴苣苔的離體保存方法有效
| 申請號： | 201410739915.4 | 申請日： | 2014-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN104756864A | 公開（公告）日： | 2015-07-08 |
| 發明（設計）人： | 李翠;韋瑩;郭曉云;張占江;繆劍華;趙以民;韋坤華;李林軒;呂惠珍;王一諾;王曉峰 | 申請（專利權）人： | 廣西壯族自治區藥用植物園 |
| 主分類號： | A01H4/00 | 分類號： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 530023 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 疏脈半蒴苣苔 保存 方法 | ||
1.一種疏脈半蒴苣苔的離體保存方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)外植體誘導培養：取野外采集的疏脈半蒴苣苔的頂芽作為外植體，在70％乙醇中浸泡30～45s，無菌水沖洗2～3次，投入添加2％吐溫-20的0.1％升汞中8min，再用無菌水沖洗2～3次，切割為0.5～1.0cm長接種在接種培養基上，培養8～15d，頂芽分化形成嫩黃綠色叢生芽；所述培養基的pH值為5.8，培養溫度為23～26℃，光照強度1400～2000lx，光照時間為10～12h/d；
(2)叢生芽壯苗生根培養：經20～35d，叢生芽長至2～3cm，轉入生根培養基培養1個月后，長成具根和4～6片葉的試管苗；所述培養基的溫度為23～26℃，光照強度2000～2800lx，光照時間為10～12h/d；
(3)試管苗離體保存：將由叢生芽分化產生的具有4～6片葉的試管苗，接種到保存培養基進行離體保存，培養溫度為20±1℃，光照強度1400～2000lx，光照時間為8～10小時/天。
2.如權利要求1所述的疏脈半蒴苣苔的離體保存方法，其特征在于，步驟(1)中所述的誘導培養基為：MS+6-BA?0.5～1.5mg/l+IAA?0.5mg/l+KT?0.3mg/l+蔗糖2.5％～3％+瓊脂0.4％～0.45％。
3.如權利要求1所述的疏脈半蒴苣苔的離體保存方法，其特征在于，步驟(2)中所述的壯苗生根培養基為：1/2MS+IBA1.0～1.5mg/l+6-BA0.5mg/l+AC0.5％+蔗糖2.5％～3％+瓊脂0.4％～0.45％。
4.如權利要求1所述的疏脈半蒴苣苔的離體保存方法，其特征在于，步驟(3)中所述的保存培養基為1/2MS+PPP333?1.0mg/l+AC?0.5％+蔗糖2.5％～3％+瓊脂0.38％～0.48％。
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