[發(fā)明專利]一種晶體材料、其制備方法及應(yīng)用該晶體的磁制冷材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410738420.X | 申請日： | 2014-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN105714378B | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 湯瑩瑩;何長振 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B7/10;C01G11/00;C09K5/14 |
| 代理公司： | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人： | 張瑩;龔敏 |
| 地址： | 350002 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體材料 晶體的 制備 大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn) 磁制冷材料 磁熱效應(yīng) 單斜晶系 晶胞參數(shù) 空間群 致冷 申請 應(yīng)用 | ||
1.一種晶體材料，其特征在于，具有如下所示的分子式：
Gd2Cu(SO4)2(OH)4
所述晶體材料屬單斜晶系，空間群P21/c，晶胞參數(shù)為α＝γ＝90°，β＝98.3～98.4°，Z＝2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體材料，其特征在于，所述的晶體材料為單晶材料。
3.制備權(quán)利要求1所述晶體材料的方法，其特征在于，將含有銅元素、釓元素、硫酸根、硼元素和水的混合物，在不低于200℃的溫度下晶化不少于3天，所得固體產(chǎn)物即為所述晶體材料；
所述混合物中銅元素、釓元素、硫元素、硼元素和水的摩爾比為：
Cu:Gd:S:B:H2O＝3～6:2:3～6:1:700～1200。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，混合物中所述硼元素來自硼酸；所述銅元素和硫酸根來自硫酸銅；所述釓元素來自氧化釓。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述混合物中含有亞碲酸鹽中的至少一種，混合物中銅元素與亞碲酸鹽中碲元素的摩爾比為Te:Cu＝1:1.25～6.82。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述亞碲酸鹽為亞碲酸鉀和/或亞碲酸鈉。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶化溫度為200～230℃，晶化時間為3～5天。
8.制備權(quán)利要求2所述晶體材料的方法，其特征在于，將含有硫酸銅、氧化釓、亞碲酸鉀、硼酸和水的混合物，置于帶聚四氟乙烯內(nèi)襯的合成釜中，在200～230℃晶化3～5天后，經(jīng)3～5天冷卻降至室溫，所得固體產(chǎn)物即為所述晶體材料；
所述混合物中銅元素、釓元素、硫元素、碲元素、硼元素和水的摩爾比為：
Cu:Gd:S:Te:B:H2O＝2～6:0.2～4:2～6:0.44～2.4:1:700～1200。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述混合物中銅元素、釓元素、硫元素、碲元素、硼元素和水的摩爾比為：
Cu:Gd:S:Te:B:H2O＝3:3:3:1.14:1:1120。
10.一種磁制冷材料，其特征在于，含有權(quán)利要求1或2所述的晶體材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁制冷材料，其特征在于，所述的晶體材料由根據(jù)權(quán)利要求3至9任一項所述方法制備得到。
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