[發(fā)明專利]使用喇叭形間隔件的溝槽結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410738353.1
• 申請(qǐng)日: 2014-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN104701247A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃琮閔;李忠儒;吳永旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種方法，包括：

在目標(biāo)層上方形成芯軸層；

蝕刻所述芯軸層以形成芯軸，其中，所述芯軸的頂部寬度大于相應(yīng)的底部寬度，并且其中，所述芯軸限定位于所述芯軸層中的第一開口，其中，所述第一開口呈I形并且包括：

兩個(gè)平行部分；和

互連所述兩個(gè)平行部分的連接部分；

在所述第一開口的側(cè)壁上形成間隔件，其中，所述間隔件填充所述連接部分，并且其中，所述兩個(gè)平行部分中的每個(gè)的中心部分未被所述間隔件填充；以及

使所述第一開口的未被所述間隔件填充的部分延伸至所述目標(biāo)層內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

蝕刻所述芯軸層以去除所述芯軸中的一個(gè)從而形成第二開口，其中，所述第二開口具有頂部寬度和小于所述頂部寬度的底部寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述第一開口延伸至所述目標(biāo)層內(nèi)之后，用導(dǎo)電材料填充所述第一開口，其中，所述導(dǎo)電材料位于所述芯軸和所述間隔件上方并且與所述芯軸和所述間隔件接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述間隔件包括：

在所述芯軸上方和所述芯軸的側(cè)壁上形成間隔件層，所述第一開口的連接部分被所述間隔件層完全填充；以及

實(shí)施各向異性蝕刻以去除所述間隔件層的水平部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：蝕刻所述芯軸層以去除所述芯軸層的部分從而在所述芯軸層中形成第二開口，其中，所述第二開口具有頂部寬度和小于所述頂部寬度的底部寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述芯軸層包括形成非晶硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在形成所述芯軸層之前，形成位于所述目標(biāo)層上方并且與所述目標(biāo)層接觸的介電硬掩模層，并且其中，所述芯軸層位于所述介電硬掩模層上方并且與所述介電硬掩模層接觸。

8.一種方法，包括：

在目標(biāo)層上方形成芯軸層；

對(duì)所述芯軸層實(shí)施第一蝕刻步驟以在所述芯軸層中形成第一開口；

對(duì)所述芯軸層實(shí)施第二蝕刻步驟以形成彼此平行的第二開口和第三開口，其中，所述第一開口的相對(duì)兩端連接至所述第二開口和所述第三開口以形成I形開口；

在所述芯軸層上方形成毯式間隔件層，其中，所述毯式間隔件層延伸至所述I形開口內(nèi)；

去除位于所述芯軸層上方的所述毯式間隔件層的部分，所述毯式間隔件層的剩余部分形成間隔件，其中，所述間隔件包括填充所述第一開口的連接部分，并且其中，所述第二開口和所述第三開口的中心部分未被所述間隔件填充；

蝕刻所述芯軸層以去除所述芯軸層的部分從而在所述芯軸層中形成第四開口和第五開口，其中，所述第四開口和所述第五開口位于所述第二開口和所述第三開口之間；

將所述芯軸層和所述間隔件用作蝕刻掩模來(lái)蝕刻所述目標(biāo)層以在所述目標(biāo)層中形成溝槽；以及

用材料填充所述溝槽，其中，所述材料包括位于所述芯軸層和所述間隔件的剩余部分上方并且與所述芯軸層和所述間隔件的剩余部分接觸的部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第二開口和所述第三開口被所述間隔件的連接部分?jǐn)嚅_。

10.一種方法，包括：

在低k介電層上方形成芯軸層；

對(duì)所述芯軸層實(shí)施第一蝕刻步驟以在所述芯軸層中形成第一開口；

對(duì)所述芯軸層實(shí)施第二蝕刻步驟以形成彼此平行的第二開口和第三開口，其中，所述芯軸層的剩余部分包括芯軸，所述芯軸具有頂部寬度和小于相應(yīng)的頂部寬度的底部寬度，并且其中，所述第一開口的相對(duì)兩端連接至所述第二開口和所述第三開口以形成I形開口；

在所述芯軸層上方形成毯式間隔件層，其中，所述毯式間隔件層延伸至所述I形開口內(nèi)；

去除位于所述芯軸層上方的毯式間隔件層的部分，所述毯式間隔件層的剩余部分形成間隔件，其中，所述間隔件包括連接部分，所述連接部分填充不與所述第二開口和所述第三開口重疊的所述第一開口的部分的全部，并且其中，所述第二開口和所述第三開口的中心部分未被所述間隔件填充；以及

蝕刻所述芯軸的所述部分以在所述芯軸層中形成第四開口和第五開口，其中，所述第四開口和所述第五開口位于所述間隔件的連接部分的相對(duì)兩側(cè)上，并且位于所述第二開口和所述第三開口之間。