[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201410737839.3 | 申請日: | 2014-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN104465669A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 劉曉娣;蓋翠麗;王剛 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是指一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
隨著平板顯示技術的發展,平板顯示裝置朝著大尺寸、高解析度以及低成本的方向發展。隨著顯示面板尺寸的增大,阻抗效應的影響也越來越大。
為解決這個問題,低電阻材料如Cu金屬被引進來降低走線電阻,然而,對于OLED(Organic?Light-Emitting?Diode,有機發光二極管)顯示面板來說,即使使用Cu金屬來制作走線,如圖1所示,用來傳輸Vdd電壓的Vdd走線仍存在阻抗,因此仍然存在走線阻抗導致驅動管的Vdd不斷衰減的問題。而氧化物薄膜晶體管的輸出特性由于SD(源電極和漏電極)接觸電阻的存在,會導致飽和區電流在低電壓飽和、高電壓不飽和。因此,由于薄膜晶體管的驅動電流隨不斷衰減的驅動管的Vdd降低,發光層的亮度也會隨之降低,大面積顯示面板就會存在從信號輸入端開始亮度逐漸降低的問題,影響了顯示面板的顯示效果。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置,在驅動管的壓降方向設計大的寬長比的薄膜晶體管來提高飽和區驅動電流,能夠解決驅動管的Vdd降低導致的OLED顯示面板發光亮度降低的問題。
為解決上述技術問題,本發明的實施例提供技術方案如下:
一方面,提供一種陣列基板,包括形成在基板上的多條掃描線及多條數據線,所述多條掃描線及所述多條數據線相互交錯定義出多個像素單元且在所述像素單元內形成有薄膜晶體管,從靠近掃描線電壓源到遠離掃描線電壓源的方向上,第N+M個薄膜晶體管的溝道寬長比大于第N個薄膜晶體管的溝道寬長比,N、M均為大于1的整數。
進一步地,所述陣列基板劃分為多個按列排布的區域,每一區域內所有薄膜晶體管的溝道寬長比相等,從靠近掃描線電壓源到遠離掃描線電壓源的方向上,每一區域內薄膜晶體管的溝道寬長比大于上一區域內薄膜晶體管的溝道寬長比。
進一步地,每一區域包括一列或多列薄膜晶體管。
進一步地,所述陣列基板包括柵電極、源電極、漏電極、半導體有源層,還包括位于源電極、漏電極與所述半導體有源層之間的刻蝕阻擋層,所述刻蝕阻擋層覆蓋所述半導體有源層的中心區域,其中,從靠近掃描線電壓源到遠離掃描線電壓源的方向上,第N+M個薄膜晶體管的刻蝕阻擋層的尺寸大于第N個薄膜晶體管的刻蝕阻擋層的尺寸。
進一步地,從靠近掃描線電壓源到遠離掃描線電壓源的方向上,第N+M個薄膜晶體管的源電極和漏電極之間的距離小于第N個薄膜晶體管的源電極和漏電極之間的距離。
本發明實施例還提供了一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
本發明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法,包括在基板上形成多條掃描線及多條數據線,所述多條掃描線及所述多條數據線相互交錯定義出多個像素單元,并在所述像素單元內形成薄膜晶體管,從靠近掃描線電壓源到遠離掃描線電壓源的方向上,形成溝道寬長比大于第N個薄膜晶體管的溝道寬長比的第N+M個薄膜晶體管,N、M均為大于1的整數。
進一步地,所述陣列基板劃分為多個按列排布的區域,所述制作方法具體包括:
在每一區域內形成溝道寬長比相等的薄膜晶體管,并在從靠近掃描線電壓源到遠離掃描線電壓源的方向上,形成溝道寬長比大于上一區域內薄膜晶體管的溝道寬長比的薄膜晶體管。
進一步地,所述制作方法包括:
形成半導體有源層;
形成位于所述半導體有源層上的刻蝕阻擋層,所述刻蝕阻擋層覆蓋所述半導體有源層的中心區域,其中,第N+M個薄膜晶體管的刻蝕阻擋層的尺寸大于第N個薄膜晶體管的刻蝕阻擋層的尺寸。
進一步地,所述制作方法包括:
形成薄膜晶體管的源電極和漏電極,其中,從靠近掃描線電壓源到遠離掃描線電壓源的方向上,第N+M個薄膜晶體管的源電極和漏電極之間的距離小于第N個薄膜晶體管的源電極和漏電極之間的距離。
本發明的實施例具有以下有益效果:
上述方案中,從靠近掃描線電壓源到遠離掃描線電壓源的方向上,陣列基板的第N+M個薄膜晶體管的溝道寬長比大于第N個薄膜晶體管的溝道寬長比,N、M均為大于1的整數,即沿驅動管的壓降方向,設計大的寬長比的薄膜晶體管來提高飽和區驅動電流,補償Vdd降低導致的OLED顯示面板發光亮度降低,減少陣列基板電流的不均勻性,進而減少顯示面板亮度的不均勻性,提升顯示面板的顯示效果。
附圖說明
圖1為Vdd走線的阻抗示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





