[發明專利]在導電襯底上制備三維LiCoO2納米陣列的方法無效
| 申請號： | 201410737269.8 | 申請日： | 2014-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN104466153A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 夏暉;洪彩云 | 申請（專利權）人： | 南京理工大學 |
| 主分類號： | H01M4/485 | 分類號： | H01M4/485;C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人： | 鄒偉紅;朱顯國 |
| 地址： | 210094 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電 襯底 制備 三維 licoo sub 納米 陣列 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在導電襯底上制備三維LiCoO2納米陣列的方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)配制Co(NO3)2、NH4F和CO(NH2)2的混合溶液；
2)將導電襯底浸入裝有上述混合溶液的水熱釜中，在80-120℃的條件下水熱反應5-6h；
3)水熱反應結束后自然冷卻到室溫，用去離子水和無水乙醇清洗導電襯底，將清洗過后的導電襯底置于馬弗爐中，在400℃下燒結4h；
4)將導電襯底置于裝有鋰源溶液的水熱釜中，在240℃的條件下水熱反應48-168h；
5)水熱反應結束后自然冷卻到室溫，清洗導電襯底，將清洗過后的導電襯底置于馬弗爐中，在750-850℃下燒結2h，燒結結束后即可得導電襯底上的三維LiCoO2納米陣列。
2.如權利要求1所述的在導電襯底上制備三維LiCoO2納米陣列的方法，其特征在于，步驟(1)中所述的混合溶液中Co(NO3)2濃度為0.1M,NH4F濃度為0.2M，CO(NH2)2濃度為0.5M。
3.如權利要求1所述的在導電襯底上制備三維LiCoO2納米陣列的方法，其特征在于，步驟(4)中所述的鋰源溶液為飽和的LiOH、LiCl或Li2SO4溶液；鋰源溶液的體積占水熱釜體積的60-80％。
4.如權利要求1所述的在導電襯底上制備三維LiCoO2納米陣列的方法，其特征在于，步驟(5)中所述的導電襯底采用去離子水和無水乙醇清洗。
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