[發明專利]一種CVD成膜方法

在審

• 申請號: 201410736855.0
• 申請日: 2014-12-05
• 公開（公告）號: CN104498909A
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 劉力明;黃偉東;鄧澤新;陳建倫;黃亞清;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司44202
• 代理人: 溫旭

1.一種CVD成膜方法，其特征在于，所述方法包括：

通過RPSC工序利用氟離子清潔反應室內部殘留的薄膜；

進行預處理工序，所述預處理工序為無晶片成膜工序：在反應室中不放置晶片，而通過反應氣體在反應室中進行反應并成膜，以供產生的薄膜消耗RPSC工序后的氟離子；

常規成膜工序，即將若干片晶片先后置于反應室中，通過反應氣體在晶片表面反應成膜，并吸附在晶片上；

循環上述步驟。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜包括第一SiN層、AL層、AH層、Np層以及第二SiN層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述若干片晶片為6片晶片。