[發(fā)明專利]靜電保護器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410735063.1 | 申請日： | 2014-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN104465627A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫建英;韓勝振;李向明 | 申請（專利權(quán)）人： | AEM科技（蘇州）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60;H05F3/00 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人： | 孫仿衛(wèi);李艷 |
| 地址： | 215122 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靜電 保護 及其 制造 方法 | ||
1.一種靜電保護器，其特征在于，包括：
絕緣的基層（1）；
一對電極，每個所述電極均具有形成于所述基層（1）上表面的耦合電極部（3）、覆蓋形成于所述耦合電極部（3）側(cè)表面的外層電極部（2），一對所述電極的耦合電極部（3）間的外層電極部之間具有一縫隙，所述耦合電極部（3）由第一種金屬制成，所述外層電極部（2）由第二種金屬或合金制成，所述第二種金屬或合金的熔點高于第一種金屬；
壓敏材料層（5），其能夠在高電壓下呈導通狀態(tài)并能夠在低電壓下呈絕緣狀態(tài)，所述壓敏材料層（5）填充在所述縫隙中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護器，其特征在于：所述外層電極部（2）由鈀、鎢、鎳、鉑、鈦、鉬、鉻中的一種或其合金制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護器，其特征在于：每個所述電極均具有端電極部（4），一對所述電極的端電極部（4）分別形成于所述基層（1）上表面的兩端上，所述耦合電極部（3）從相應(yīng)一端的所述端電極部（4）上伸出并朝向另一端的端電極部（4）延伸，且與該另一端的端電極部（4）之間具有間隔空間，所述外層電極部（2）覆蓋形成于所述耦合電極部（3）的側(cè)表面和所述端電極部（4）的正對所述間隔空間的側(cè)表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護器，其特征在于：所述耦合電極部（3）和所述端電極部（4）為一體成形的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜電保護器，其特征在于：所述耦合電極部（3）和端電極部（4）均由銅制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護器，其特征在于所述外層電極部（2）的寬度為5um~50um。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護器，其特征在于：所述壓敏材料層（5）包括硅橡膠、金屬粒子、覆蓋形成在所述金屬粒子表面的納米多晶半導體粒子，所述納米多晶半導體粒子的粒徑為20~400nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護器，其特征在于：該靜電保護器還包括高分子覆蓋層（6），所述高分子覆蓋層（6）覆蓋在一對所述電極的耦合電極部（3）、外層電極部（2）及所述壓敏材料層（5）上，所述高分子覆蓋層（6）為含有陶瓷粉末和納米級的長鏈碳黑的環(huán)氧樹脂層。
9.一種如權(quán)利要求1至8中任一項所述的靜電保護器的制造方法，其特征在于，依次包括如下步驟：
A在雙面覆有第一種金屬的絕緣基板上進行耦合電極部和端電極部的制作；
B外層電極部的制作：在步驟A制得的耦合電極部的側(cè)表面和端電極部的正對間隔空間的側(cè)表面上電鍍第二種金屬或合金，生長出所述外層電極部；
C填充壓敏材料層；
D覆蓋高分子覆蓋層；
E對基板進行切割，進行端面電極的制作；
F切割出靜電保護器的側(cè)面，制得單個靜電保護器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述制造方法，其特征在于：步驟B中，在耦合電極部和端電極部的上表面上覆蓋感光干膜后，通過電鍍在耦合電極部和端電極部的側(cè)表面上生長出所述外層電極部。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于AEM科技（蘇州）股份有限公司，未經(jīng)AEM科技（蘇州）股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410735063.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
