[發明專利]液晶面板及其制作方法

在審

• 申請號: 201410734669.3
• 申請日: 2015-08-03
• 公開（公告）號: CN104503150A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 宋利旺;許勇
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1339
• 分類號: G02F1/1339;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種液晶面板，包括：第一基板(1)、設于第一基板(1)上的TFT層(2)、設于TFT層(2)上的色阻層(3)、設于色阻層(3)上的光阻間隙物層(4)、設于色阻層(3)和光阻間隙物層(4)上的保護層(5)、貫穿色阻層(3)和保護層(5)的過孔(6)、形成于保護層(5)上通過過孔(6)與TFT層(2)電性連接的像素電極層(7)、以及與第一基板(1)相對設置的第二基板(8)，其特征在于，所述光阻間隙物層(4)與所述色阻層(3)中的一種或者數種色阻的材料相同，并且所述光阻間隙物層(4)與所述色阻層(3)在制作過程中同時形成。

2.如權利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述色阻層(3)包括第一色阻(31)、第二色阻(32)和第三色阻(33)，所述光阻間隙物層(4)包括主要光阻間隙物(41)和次要光阻間隙物(42)，并且所述主要光阻間隙物(41)的高度大于所述次要光阻間隙物(42)的高度，所述次要光阻間隙物(42)位于第一色阻(31)上，所述主要光阻間隙物(41)位于第二色阻(32)上；所述次要光阻間隙物(42)與第二色阻(32)的材料相同，且二者在同一光罩制程中形成；所述主要光阻間隙物(41)和第三色阻(33)的材料相同，且二者在同一光罩制程中形成。

3.如權利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述色阻層(3)包括第一色阻(31)、第二色阻(32)和第三色阻(33)，所述光阻間隙物層(4)包括主要光阻間隙物(41)和次要光阻間隙物(42)，并且所述主要光阻間隙物(41)的高度大于所述次要光阻間隙物(42)的高度，所述主要光阻間隙物(41)和次要光阻間隙物(42)位于第一色阻(31)上；所述主要光阻間隙物(41)、次要光阻間隙物(42)和第二色阻(32)的材料相同，且三者在同一光罩制程中形成。

4.如權利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述色阻層(3)包括第一色阻(31)、第二色阻(32)和第三色阻(33)，所述光阻間隙物層(4)包括主要光阻間隙物(41)和次要光阻間隙物(42)，并且所述主要光阻間隙物(41)的高度大于所述次要光阻間隙物(42)的高度，所述次要光阻間隙物(42)位于第一色阻(31)上，所述主要光阻間隙物(41)位于第二色阻(32)上；所述主要光阻間隙物(41)、次要光阻間隙物(42)和第三色阻(33)的材料相同，且三者在同一光罩制程中形成。

5.如權利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述色阻層(3)包括第一色阻、第二色阻、第三色阻和第四色阻，所述光阻間隙物層(4)包括主要光阻間隙物(41)和次要光阻間隙物(42)，并且所述主要光阻間隙物(41)的高度大于所述次要光阻間隙物(42)的高度。

6.一種液晶面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供第一基板(1)，在所述第一基板(1)上沉積TFT層(2)；

步驟2、在所述TFT層(2)上形成色阻層(3)和光阻間隙物層(4)，所述光阻間隙物層(4)位于所述色阻層(3)上方，且與所述色阻層(3)在制作過程中同時形成；

步驟3、在色阻層(3)和光阻間隙物層(4)上形成保護層(5)，并在色阻層(3)和保護層(5)上通過干蝕刻或濕蝕刻工藝形成過孔(6)；

步驟4、在所述保護層(5)上通過濺射工藝形成ITO薄膜，通過濕蝕刻工藝形成像素電極層(7)，所述像素電極層(7)通過過孔(6)與TFT層(2)形成電性連接；

步驟5、提供第二基板(8)，在所述第一基板(1)與第二基板(8)之間灌注液晶分子，并對所述第一基板(1)與第二基板(8)進行封裝。