[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201410734499.9
• 申請日: 2014-12-04
• 公開（公告）號: CN105712289B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 伏廣才;李志超
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 應戰,駱蘇華

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面犧牲層；

在所述犧牲層內形成凹槽，暴露出部分基底的表面；

形成填充滿所述凹槽并覆蓋犧牲層表面的金屬層；

去除位于犧牲層表面的金屬層，形成金屬焊墊，形成金屬焊墊的方法包括：在所述金屬層表面形成掩膜層，所述掩膜層位置與凹槽位置對應；以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述金屬層，去除位于犧牲層表面的金屬層；

去除犧牲層，暴露出基底的表面。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為絕緣介質材料。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕或干法刻蝕工藝去除所述犧牲層。

5.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度小于金屬層最大厚度的1/3。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為

7.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為Al、Au或AlCu合金。

8.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的側壁邊緣與凹槽的側壁邊緣對齊。

9.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的側壁邊緣與凹槽的側壁邊緣之間的距離小于0.5μm。

10.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為氮氧化硅。

11.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜層的方法包括：在所述金屬層表面形成掩膜材料層之后，在所述掩膜材料層表面形成光刻膠層，對所述光刻膠層進行圖形化，形成圖形化光刻膠層；以所述圖形化光刻膠層為掩膜刻蝕所述掩膜材料層形成掩膜層。

12.根據權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述掩膜材料層形成掩膜層，所述干法刻蝕工藝采用的氣體包括Cl₂、Ar和CHF₃，其中，Cl₂的流量為10sccm～50sccm，Ar的流量為20sccm～100sccm，CHF₃的流量為10sccm～50sccm，壓強為10mTorr～30mTorr，功率為20W～1500W。

13.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述犧牲層內形成凹槽的方法包括：在所述犧牲層表面形成光刻膠層，對所述光刻膠層進行曝光顯影，形成圖形化光刻膠層；以所述圖形化光刻膠層為掩膜，對所述犧牲層進行刻蝕，形成凹槽。

14.根據權利要求13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝對所述犧牲層進行刻蝕，所述干法刻蝕工藝采用的氣體包括：CF₄、CHF₃、O₂和Ar，其中CF₄的流量為10sccm～50sccm，CHF₃的流量為20sccm～100sccm，O₂的流量為5sccm～25sccm，Ar的流量為200sccm～500sccm，功率為250W～700W，壓強為100mTorr～300mTorr。

15.根據權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述金屬層，所述干法刻蝕工藝采用的氣體包括：BCl₂、Cl₂和CHF₃，其中，BCl₂的流量為50sccm～100sccm，Cl₂的流量為50sccm～100sccm，CHF₃的流量為5sccm～20sccm，壓強為5mTorr～30mTorr，功率為100W～800W。