[發明專利]雙薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201410733657.9
• 申請日: 2014-12-04
• 公開（公告）號: CN105720056A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 姜信銓;呂雅茹;陳玉仙;黃彥馀
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;尚群

1.一種雙薄膜晶體管，其特征在于，包含：

一第一半導體層，設置于一基材上；

一柵極，設置于該第一半導體層上；

一第二半導體層，設置于該柵極上，其中該第一半導體層及該第二半導體層為同一導電型；

一第一絕緣層，設置于該第一半導體層與該柵極之間；

一第二絕緣層，設置于該柵極與該第二半導體層之間；

一第一源極及一第一漏極，設置于該基材與該第二絕緣層之間，且該第一半導體層接觸該第一源極的一部分及該第一漏極的一部分；以及

一第二源極及一第二漏極，設置于該第二絕緣層上，且該第二半導體層接觸該第二源極的一部分及該第二漏極的一部分。

2.如權利要求1所述的雙薄膜晶體管，其特征在于，該第一絕緣層具有一第一開口及一第二開口彼此分離，該第一半導體層透過該第一開口及該第二開口分別接觸該第一源極的該部分及該第一漏極的該部分。

3.如權利要求1所述的雙薄膜晶體管，其特征在于，還包含一第三絕緣層設置于該第二半導體層上，該第三絕緣層具有一第三開口及一第四開口彼此分離，該第二半導體層分別透過該第三開口及該第四開口接觸該第二源極的該部分及該第二漏極的該部分。

4.如權利要求1所述的雙薄膜晶體管，其特征在于，該第二半導體層設置于該第二源極上，并直接接觸該第二源極的該部分。

5.如權利要求4所述的雙薄膜晶體管，其特征在于，還包含一第三絕緣層設置于該第二半導體層上，該第三絕緣層具有一第四開口，該第二半導體層透過該第四開口接觸該第二漏極的該部分。

6.一種雙薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成一第一半導體層于一基材上；

形成一第一絕緣層于該第一半導體層上；

形成一第一源極于該基材上，且該第一半導體層接觸該第一源極的一部分；

形成一第一漏極于該基材上，且該第一半導體層接觸該第一漏極的一部分；

形成一柵極于該第一絕緣層上；

形成一第二絕緣層于該柵極上；

形成一第二半導體層于該第二絕緣層上；

形成一第二源極于該第二絕緣層上，且該第二半導體層接觸該第二源極的一部分；以及

形成一第二漏極于該第二絕緣層上，且該第二半導體層接觸該第二漏極的一部分。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，還包含形成一第三絕緣層于該第二半導體層上于形成該第二半導體層步驟后，該第三絕緣層具有一第三開口及一第四開口彼此分離，并且形成該第二源極步驟包含形成該第二源極于該第三絕緣層上及該第三開口內，使該第二半導體層透過該第三開口接觸該第二源極的該部分，并且形成該第二漏極步驟包含形成該第二漏極于該第三絕緣層上及該第四開口內，使該第二半導體層透過該第四開口接觸該第二漏極的該部分。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，形成該第二源極步驟于形成該第二半導體層步驟前進行。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，還包含形成一第三絕緣層于該第二半導體層上于形成該第二半導體層步驟后及形成該第二漏極步驟前，該第三絕緣層具有一第四開口，并且形成該第二漏極步驟包含形成該第二漏極于該第三絕緣層上及該第四開口內，使該第二半導體層透過該第四開口接觸該第二漏極的該部分。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，形成該柵極步驟、形成該第一源極步驟及形成該第一漏極步驟通過同一道微影蝕刻工藝進行。