[發(fā)明專利]6000nm長(zhǎng)波通紅外濾光敏感元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410733423.4
• 申請(qǐng)日: 2014-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN104597538A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王繼平;呂晶;余初旺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B5/20
• 分類號(hào): G02B5/20
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及紅外濾光敏感元件領(lǐng)域，尤其是一種6000nm長(zhǎng)波通紅外濾光敏感元件。

背景技術(shù)

紅外熱成像儀（熱成像儀或紅外熱成像儀）是通過非接觸探測(cè)紅外能量（熱量），并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，進(jìn)而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對(duì)溫度值進(jìn)行計(jì)算的一種檢測(cè)設(shè)備。紅外熱成像儀（熱成像儀或紅外熱成像儀）能夠?qū)⑻綔y(cè)到的熱量精確量化或測(cè)量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠?qū)Πl(fā)熱的故障區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確識(shí)別和嚴(yán)格分析。

紅外熱成像儀的探測(cè)器是實(shí)現(xiàn)紅外能量（熱能）轉(zhuǎn)換電信號(hào)的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來的紅外能量（熱能）是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會(huì)在探測(cè)器中添加紅外濾光敏感元件，通過紅外濾光敏感元件可以使探測(cè)器只接受特定波段的紅外能量（熱能），保證紅外熱成像儀的成像結(jié)果。

但是，目前的紅外濾光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的6000nm長(zhǎng)波通紅外濾光敏感元件。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種6000nm長(zhǎng)波通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有237nm厚度的Ge層、171nm厚度的ZnS層、119nm厚度的Ge層、107nm厚度的ZnS層、161nm厚度的Ge層、186nm厚度的ZnS層、111nm厚度的Ge層、205nm厚度的ZnS層、85nm厚度的Ge層、205nm厚度的ZnS層、78nm厚度的Ge層、254nm厚度的ZnS層、147nm厚度的Ge層、249nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、169nm厚度的ZnS層、121nm厚度的Ge層、176nm厚度的ZnS層、213nm厚度的Ge層、228nm厚度的ZnS層、161nm厚度的Ge層、285nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、350nm厚度的ZnS層、107nm厚度的Ge層、418nm厚度的ZnS層、128nm厚度的Ge層、273nm厚度的ZnS層、240nm厚度的Ge層、158nm厚度的ZnS層、252nm厚度的Ge層、118nm厚度的ZnS層、294nm厚度的Ge層、1136nm厚度的ZnS層；所述的第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有207nm厚度的Ge層、302nm厚度的ZnS層、248nm厚度的Ge層、372nm厚度的ZnS層、215nm厚度的Ge層、383nm厚度的ZnS層、226nm厚度的Ge層、400nm厚度的ZnS層、212nm厚度的Ge層、445nm厚度的ZnS層、207nm厚度的Ge層、429nm厚度的ZnS層、211nm厚度的Ge層、336nm厚度的ZnS層、255nm厚度的Ge層、502nm厚度的ZnS層、222nm厚度的Ge層、785nm厚度的ZnS層、202nm厚度的Ge層、575nm厚度的ZnS層、402nm厚度的Ge層、322nm厚度的ZnS層、377nm厚度的Ge層、684nm厚度的ZnS層、161nm厚度的Ge層、890nm厚度的ZnS層、293nm厚度的Ge層、408nm厚度的ZnS層、354nm厚度的Ge層、1250nm厚度的ZnS層。

上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在10nm左右。

本發(fā)明所得到的一種6000nm長(zhǎng)波通紅外濾光敏感元件，其在溫度測(cè)量過程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件5％Cut?on=6000±300nm，7500～13500nm，Tavg≥70%，400～5500nm，Tavg≤0.1%，T≤3.0%。

附圖說明

圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測(cè)曲線圖。

圖中：第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。

具體實(shí)施方式

下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

實(shí)施例1。

如圖1和圖2所示，本實(shí)施例描述的一種6000nm長(zhǎng)波通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、ZnS為第一鍍膜層1和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層1與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層1由內(nèi)向外依次排列包含有237nm厚度的Ge層、171nm厚度的ZnS層、119nm厚度的Ge層、107nm厚度的ZnS層、161nm厚度的Ge層、186nm厚度的ZnS層、111nm厚度的Ge層、205nm厚度的ZnS層、85nm厚度的Ge層、205nm厚度的ZnS層、78nm厚度的Ge層、254nm厚度的ZnS層、147nm厚度的Ge層、249nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、169nm厚度的ZnS層、121nm厚度的Ge層、176nm厚度的ZnS層、213nm厚度的Ge層、228nm厚度的ZnS層、161nm厚度的Ge層、285nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、350nm厚度的ZnS層、107nm厚度的Ge層、418nm厚度的ZnS層、128nm厚度的Ge層、273nm厚度的ZnS層、240nm厚度的Ge層、158nm厚度的ZnS層、252nm厚度的Ge層、118nm厚度的ZnS層、294nm厚度的Ge層、1136nm厚度的ZnS層；所述的第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有207nm厚度的Ge層、302nm厚度的ZnS層、248nm厚度的Ge層、372nm厚度的ZnS層、215nm厚度的Ge層、383nm厚度的ZnS層、226nm厚度的Ge層、400nm厚度的ZnS層、212nm厚度的Ge層、445nm厚度的ZnS層、207nm厚度的Ge層、429nm厚度的ZnS層、211nm厚度的Ge層、336nm厚度的ZnS層、255nm厚度的Ge層、502nm厚度的ZnS層、222nm厚度的Ge層、785nm厚度的ZnS層、202nm厚度的Ge層、575nm厚度的ZnS層、402nm厚度的Ge層、322nm厚度的ZnS層、377nm厚度的Ge層、684nm厚度的ZnS層、161nm厚度的Ge層、890nm厚度的ZnS層、293nm厚度的Ge層、408nm厚度的ZnS層、354nm厚度的Ge層、1250nm厚度的ZnS層。