[發(fā)明專利]壓印模板的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410731598.1 | 申請日： | 2014-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN105652590A | 公開（公告）日： | 2016-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝秋實 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓印 模板 制作方法 | ||
1.一種壓印模板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
掩膜光刻步驟，在采用硅材料制作的母版上涂平一層光刻膠掩 膜，并采用光刻工藝在所述光刻膠掩膜上形成所需的圖形；
圖形修飾步驟，用于減小所述圖形的頂寬；
母版刻蝕步驟，將所述圖形復(fù)制在所述母版上；
模板制作步驟，利用具有所述圖形的母版制作壓印模板。
2.如權(quán)利要求1所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，在 所述掩膜光刻步驟中，所述光刻膠掩膜的厚度為1～5μm。
3.如權(quán)利要求1所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，在 所述圖形修飾步驟中，刻蝕氣體包括氬氣和氧氣。
4.如權(quán)利要求3所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，在 所述圖形修飾步驟中，所述氬氣的流量為100～200sccm；所述氧氣的 流量為10～50sccm；腔室壓力為10～50mT；上電極功率為800～2000W； 下電極功率為20～100W。
5.如權(quán)利要求1所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，根 據(jù)所述刻蝕速率和要求的目標(biāo)刻蝕深度，計算所述母版刻蝕步驟的刻 蝕時間。
6.如權(quán)利要求1所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，在 所述母版刻蝕步驟中，刻蝕氣體包括SF6和O2。
7.如權(quán)利要求6所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，所 述O2的流量和腔室壓強(qiáng)根據(jù)所述母版的圖形的刻蝕角度而設(shè)定。
8.如權(quán)利要求6所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，在 所述母版刻蝕步驟中，所述SF6的流量為50～100sccm；所述O2的流 量為35～60sccm；腔室壓力為35～50mT；上電極功率為500～800W； 下電極功率為60～100W。
9.如權(quán)利要求1所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，所 述模板制作步驟進(jìn)一步包括以下步驟：
將聚二甲基硅氧烷涂布在已完成所述母版刻蝕步驟的所述母版 表面上；
采用對所述聚二甲基硅氧烷進(jìn)行固化聚合和脫離處理的方式制 作所述壓印模板。
10.如權(quán)利要求1所述的壓印模板的制作方法，其特征在于，所 述模板制作步驟采用金屬電鑄的方式制作所述壓印模板。
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G03F7-00 圖紋面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工藝；圖紋面照相制版用的材料，如：含光致抗蝕劑的材料；圖紋面照相制版的專用設(shè)備
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