[發明專利]半導體封裝件及其制法

在審

• 申請號: 201410730067.0
• 申請日: 2014-12-04
• 公開（公告）號: CN105590915A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 盧慧娟;盧俊宏;吳柏毅
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體封裝件，其特征為，該半導體封裝件包括：

增層結構，其具有相對的第一底面與第一頂面；

至少一半導體組件，其設置于該增層結構的第一頂面上，且該半 導體組件電性連接該增層結構；

封裝膠體，其形成于該增層結構的第一頂面上以包覆該半導體組 件，該封裝膠體具有相對的第二底面與第二頂面，且該第二底面面向 該增層結構的第一頂面；以及

強化層，其形成于該封裝膠體的第二頂面上、該增層結構與該封 裝膠體之間、或該增層結構的第一底面上。

2.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該增層結構具 有至少一介電層、多個形成于該介電層中的導電盲孔、及至少一形成 于該介電層上并電性連接該些導電盲孔的線路層，且該線路層具有多 個第一電性連接墊。

3.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，當該強化層是 形成于該封裝膠體的第二頂面上、或該增層結構與該封裝膠體之間時， 該半導體封裝件還包括第一絕緣保護層，該第一絕緣保護層形成于該 增層結構的第一底面上，并具有多個第一貫穿孔以分別外露出該增層 結構的多個導電盲孔。

4.如權利要求3所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體封裝 件還包括多個第二電性連接墊，其形成于該第一絕緣保護層上至該些 第一貫穿孔內以分別電性連接該些導電盲孔。

5.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，當該強化層是 形成于該封裝膠體的第二頂面上時，該半導體封裝件還包括形成于該 強化層上的絕緣層。

6.如權利要求5所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體封裝 件還包括黏著層，其形成于該封裝膠體與該強化層之間。

7.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，當該強化層是 形成于該增層結構與該封裝膠體之間時，該強化層具有多個開孔以分 別外露出該增層結構的多個第一電性連接墊。

8.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，當該強化層是 形成于該增層結構的第一底面上時，該半導體封裝件還包括第一絕緣 保護層與多個第二貫穿孔，該第一絕緣保護層形成于該增層結構與該 強化層之間，該些第二貫穿孔形成于該強化層至該第一絕緣保護層中 以分別外露出該增層結構的多個導電盲孔。

9.如權利要求8所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體封裝 件還包括絕緣層，其形成于該強化層與該些第二貫穿孔的壁面上。

10.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體封裝 家還包括多個第二電性連接墊，其形成于該絕緣層上至該些第二貫穿 孔內以分別電性連接該些導電盲孔。

11.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體封裝 件還包括第二絕緣保護層，其形成于該增層結構的第一頂面上，并外 露出該增層結構的多個第一電性連接墊。

12.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體封裝 件還包括凸塊底下金屬層與多個導電組件，該凸塊底下金屬層形成于 該增層結構的多個第一電性連接墊上，該些導電組件形成于該半導體 組件與該凸塊底下金屬層之間。

13.如權利要求12所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體封 裝件還包括底膠，其形成于該半導體組件的主動面上以包覆該凸塊底 下金屬層與該些導電組件。

14.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該強化層的材 質為彈性材料、緩沖材料或半導體材料。

15.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，當該強化層是 形成于該封裝膠體的第二頂面或該增層結構的第一底面上時，該強化 層的材質為硅。

16.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，當該強化層是 形成于該增層結構與該封裝膠體之間時，該強化層的材質為聚苯惡唑。