[發(fā)明專利]用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410728004.1 | 申請日： | 2014-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN105708491B | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭海榮;郭瑞彪;錢明;李永川;薛術(shù);陳然然 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院深圳先進技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | A61B8/00 | 分類號： | A61B8/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 吳平 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 刺激 神經(jīng) 調(diào)控 超聲 探頭 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭的制備方法；包括以下步驟：
取精磨后的壓電復(fù)合材料，沿其橫向切割出M行凹形槽，并在凹形槽內(nèi)添加去耦材料；再沿其縱向切割出N列凹形槽，并在凹形槽內(nèi)添加去耦材料；其中，M行凹形槽和N列凹形槽的朝向一致；
將切割后的壓電復(fù)合材料的M行凹形槽和N列凹形槽的槽體均磨去，使其露出添加的去耦材料，形成M*N壓電復(fù)合材料陣列；
將所述M*N壓電復(fù)合材料陣列濺射電極層，去除所述M*N壓電復(fù)合材料陣列沿厚度方向的第一長側(cè)面、第二長側(cè)面上的電極層；所述第一長側(cè)面、所述第二長側(cè)面沿所述M*N壓電復(fù)合材料陣列的橫向延伸；
將所述M*N壓電復(fù)合材料陣列的第一正面沿N列凹形槽去除電極層，保留所述第一正面縱向邊緣的電極層且沿M行凹形槽切除橫向的電極層；
將所述M*N壓電復(fù)合材料陣列的第一短側(cè)面、第二短側(cè)面、第二正面沿M行凹形槽去除電極層；
將所述M*N壓電復(fù)合材料陣列的第二正面依次粘接第一匹配層、第二匹配層及聲透鏡；
將柔性電路板分別接所述M*N壓電復(fù)合材料陣列的M行電極層和N列電極層；
將背襯層與連接柔性電路板后的所述M*N壓電復(fù)合材料陣列的電極層粘接，從而形成超聲面陣探頭；
還包括將連接柔性電路板和粘接背襯層、第一匹配層、第二匹配層及聲透鏡后的所述M*N壓電復(fù)合材料陣列使用外殼封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭的制備方法，其特征在于，在所述取精磨后的壓電復(fù)合材料的步驟之前包括：
將壓電復(fù)合材料精磨至其厚度達到預(yù)設(shè)尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭的制備方法，其特征在于，所述將切割后的壓電復(fù)合材料的M行凹形槽和N列凹形槽的槽體均磨去，使其露出添加的去耦材料的步驟包括：
將所述M*N壓電復(fù)合材料陣列表面進行精磨，去除M行凹形槽和N列凹形槽的槽體，使M*N壓電復(fù)合材料陣列厚度達到預(yù)設(shè)厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭的制備方法，其特征在于，所述將柔性電路板分別接所述M*N壓電復(fù)合材料陣列的M行電極層和N列電極層的步驟包括：
將所述M*N壓電復(fù)合材料陣列M行電極層與第一柔性電路板連接，將所述M*N壓電復(fù)合材料陣列的N列電極層與第二柔性電路板連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭的制備方法，其特征在于，所述M*N壓電復(fù)合材料陣列第一正面一短邊的M行電極層接所述第一柔性電路板；所述M*N壓電復(fù)合材料陣列第一正面一長邊的N列電極層接所述第二柔性電路板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭的制備方法，其特征在于，所述M*N壓電復(fù)合材料陣列第一正面兩相對短邊的M行電極層均分別接所述第一柔性電路板；所述M*N壓電復(fù)合材料陣列第一正面兩相對長邊的N列電極層均分別接所述第二柔性電路板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項所述的用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭的制備方法，其特征在于，所述柔性電路板為鏤空柔性電路板。
8.一種采用如權(quán)利要求1-7任意一項所述的制備方法制備的用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭，其特征在于，包括聲透鏡、第一匹配層、第二匹配層及背襯層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于深腦刺激與神經(jīng)調(diào)控的超聲面陣探頭，其特征在于，所述柔性電路板為鏤空柔性電路板。
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