[發明專利]一種用于EPON/OLT中的三網融合光路結構在審
| 申請號: | 201410727455.3 | 申請日: | 2014-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN105635860A | 公開(公告)日: | 2016-06-01 |
| 發明(設計)人: | 譚澍;周權 | 申請(專利權)人: | 北京藍山科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H04Q11/00 | 分類號: | H04Q11/00;H04L12/26;H04L12/24 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100191 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 epon olt 中的 融合 結構 | ||
1.一種用于EPON/OLT中的三網融合光路結構,包括Triplexer、 發射單元、接收單元和監控單元,其特征在于:
所述Triplexer包括兩個激光器和一個探測器;
所述發射單元用于將1G和10G電信號轉化為光信號;
所述接收單元包括跨阻放大器、雪崩光電二極管和限幅放大器;
所述監控單元用于實時檢測光路結構的工作狀態。
2.根據權利要求1所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結構, 其特征在于:所述Triplexer中發射的光和接收的光通過波分復用器 集成到光器件中,實現單纖雙向傳輸。
3.根據權利要求1所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結構, 其特征在于:所述激光器通過數字APC電路,在閉環狀態下保持光功 率的穩定。
4.根據權利要求3所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結構, 其特征在于:MCU控制模塊控制調制電流的大小,進而得到系統所需 要的消光比。
5.根據權利要求1所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結構, 其特征在于:所述限幅放大器的速率分別為1.25和10.3125 Gbit/s。
6.根據權利要求1所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結構, 其特征在于:所述MCU控制模塊電連接到數字APC,數字APC電連接 到10G激光器驅動。
7.根據權利要求1所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結構, 其特征在于:所述10G激光器驅動連接到10G激光器,MCU控制模塊 電連接1G激光器驅動和高壓電路。
8.根據權利要求1所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結構, 其特征在于:所述1G激光器驅動連接到1G激光器,所述高壓電路電 連接到探測器APD和TIA。
9.根據權利要求1所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結構, 其特征在于:所述探測器APD和TIA電連接到10G限幅放大器和1G 限幅放大器,TEC電路電連接背光探測器MPD,且TEC電路連接10G 激光器,背光探測器MPD連接1G激光器,10G激光器和1G激光器連 接到WDM波分復用器,并與外圍光纖連接。
10.根據權利要求1所述的用于EPON/OLT中的三網融合光路結 構,其特征在于:所述10G限幅放大器和1G限幅放大器分別與10GRD 輸出和1GRD輸出連接,SDA與MCU控制模塊雙向連接,SCL連接到 MCU控制模塊,10GTD連接到10G激光器驅動,1GTD連接到1G激 光器驅動。
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