[發明專利]直流偏壓測量系統及方法與吸著力調整系統及方法有效
| 申請號： | 201410726706.6 | 申請日： | 2014-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN105717337B | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發明（設計）人： | 梁潔;葉如彬 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01R19/00 | 分類號： | G01R19/00;H01J37/32;H01J37/20;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;包姝晴 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直流 偏壓 測量 系統 方法 吸著 調整 | ||
1.一種直流偏壓測量方法，其特征在于，包含以下過程：
控制直流電源向靜電夾盤中的電極供電，提供將靜電夾盤上的晶圓順利吸著的直流電壓VHV，檢測穩定狀態下所述直流電源的漏電流I數值；
根據所述漏電流Ｉ，并獲取所述直流電源的直流電壓VHV的數值，及靜電夾盤所在等離子體處理裝置的系統電阻值R，基于歐姆定律I=（VHV-Vdc-2）/R，求取晶圓上存在的第二直流偏壓值Vdc-2。
2.如權利要求1所述的直流偏壓測量方法，其特征在于，還包含以下過程：
獲取靜電夾盤的射頻電源RF的電壓Vpp；
根據晶圓直流偏壓與所述射頻電源RF的電壓Vpp之間的經驗公式Vdc-1=F(Vpp)，來求取晶圓上存在的第一直流偏壓值Vdc-1；
再將第一直流偏壓值Vdc-1反饋給直流電源，用以控制直流電源輸出的初始直流電壓VHV。
3.如權利要求2所述的直流偏壓測量方法，其特征在于，
通過直流電源根據所述第一直流偏壓值Vdc-1反饋所產生的直流電壓VHV，其向晶圓提供的實際吸著力大于吸著晶圓所需的必要吸著力，以保證晶圓被順利吸著。
4.如權利要求1所述的直流偏壓測量方法，其特征在于，
所述系統電阻值R是直流電源的等效內阻與靜電夾盤及晶圓的等效阻抗串聯后的阻值；或者，所述系統電阻值R是將直流電源的等效內阻、靜電夾盤及晶圓的等效阻抗、等離子體處理裝置反應腔內的等離子體的等效阻抗串聯后的阻值。
5.如權利要求1或2所述的直流偏壓測量方法，其特征在于，
將所述第二直流偏壓值Vdc-2反饋給直流電源，用以調整直流電源提供的直流電壓VHV的數值，當檢測到漏電流I數值為給定電流值I’時完成對晶圓的吸著力的調整。
6.一種直流偏壓測量系統，其特征在于，包含：
射頻電壓讀取單元，其從靜電夾盤的射頻電源RF處，獲取該射頻電源RF輸出的電壓Vpp；
第一運算器，其接收所述射頻電壓讀取單元獲得的電壓Vpp，基于經驗公式Vdc-1=F(Vpp)，計算得到在靜電夾盤吸著的晶圓上存在的第一直流偏壓值Vdc-1并反饋給直流電源；
直流電壓讀取單元，其從直流電源處獲取用以吸著晶圓的直流電壓VHV；
漏電流檢測單元，其連接至所述直流電源進行檢測得到漏電流I；
第二運算器，其分別接收所述直流電壓讀取單元獲得的直流電壓VHV，，和所述漏電流檢測單元測得的漏電流I，并根據靜電夾盤所在等離子體處理裝置的系統電阻值R，基于歐姆定律I=（VHV-Vdc-2）/R計算得到當前晶圓上存在的第二直流偏壓值Vdc-2。
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