[發明專利]一種硅薄膜光熱吸收體的制備方法

有效

• 申請號: 201410724731.0
• 申請日: 2014-12-04
• 公開（公告）號: CN104766905B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 朱躍釗;劉宏;王銀峰;陸蓓蓓
• 申請（專利權）人: 南京工業大學;蘇州漢申溫差電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 江蘇致邦律師事務所32230
• 代理人: 樊文紅

1.?一種硅薄膜光熱吸收體的制備方法，其特征是，包括步驟如下：

步驟1?在不銹鋼襯底上采用PEMS工藝沉積第一三氧化二鉻薄膜；

步驟2在三氧化二鉻薄膜層上采用PEMS工藝沉積銀薄膜；

步驟3在銀薄膜采用PEMS工藝沉積第二三氧化二鉻薄膜；

步驟4在第二三氧化二鉻薄膜上采用PEMS工藝制備多晶硅層，在多晶硅層上采用HTCVD方法依次制備微晶硅層、納米硅層和非晶硅層，形成梯度微結構硅吸收層；

步驟5?在非晶硅層采用PEMS工藝沉積氮化硅薄膜，形成氮化硅抗反射層。

2.?根據權利要求1所述的硅薄膜光熱吸收體的制備方法，其特征是，所述步驟2和步驟4中，所述的第一、第二三氧化二鉻薄膜柱狀晶低于1.0%。

3.?根據權利要求1所述的硅薄膜光熱吸收體的制備方法，其特征是，所述步驟3中，銀薄膜，柱狀晶低于0.5%。

4.?根據權利要求1所述的硅薄膜光熱吸收體的制備方法，其特征是，所述步驟4中，所述微晶硅層、納米硅層和非晶硅層的制備溫度范圍為450℃-750℃。

5.?根據權利要求1所述的硅薄膜光熱吸收體的制備方法，其特征是，所述步驟4中，微晶硅層的晶態比為60%-80%，晶粒大小12nm-30nm，納米晶硅層的晶態比為45%-55%，晶粒大小3nm-8nm。

6.?根據權利要求1所述的硅薄膜光熱吸收體的制備方法，其特征是，所述步驟4中，通過調節氣體流量比、熱激發溫度和襯底偏壓參數，實現硅薄膜吸收體層中的膜層晶態比呈梯度變化。

7.?根據權利要求1所述的硅薄膜光熱吸收體的制備方法，其特征是，所述步驟6中，所述氮化硅薄膜柱狀晶低于0.5%。