[發明專利]芯片電子元件及其制備方法

在審

• 申請號: 201410724564.X
• 申請日: 2014-12-03
• 公開（公告）號: CN104900375A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 韓珍玉;樸文秀;金珆暎
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01F17/04
• 分類號: H01F17/04;H01F27/24;H01F1/14;H01F1/42;H01F41/00
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 李婉婉;金迪

1.一種芯片電子元件，該芯片電子元件包括：

磁體，所述磁體包括設置在絕緣基底的至少一個表面上的內部線圈圖案；和

外部電極，所述外部電極設置在所述磁體的至少一個端面上以與所述內部線圈圖案的末端連接；

其中，所述磁體含有不飽和羧酸基聚合物。

2.根據權利要求1所述的芯片電子元件，其中，所述磁體還含有硅氧烷基共聚物。

3.根據權利要求1所述的芯片電子元件，其中，所述磁體還含有金屬基軟磁性材料。

4.根據權利要求3所述的芯片電子元件，其中，所述金屬基軟磁性材料的顆粒直徑為0.1-30μm。

5.根據權利要求1所述的芯片電子元件，其中，所述不飽和羧酸基聚合物的重均分子量為500-2300。

6.根據權利要求2所述的芯片電子元件，其中，所述硅氧烷基共聚物的重均分子量為500-2300。

7.根據權利要求1所述的芯片電子元件，其中，基于所述磁體中含有的100重量份的金屬基軟磁性材料，所述不飽和羧酸基聚合物的含量為0.5-2.0重量份。

8.根據權利要求2所述的芯片電子元件，其中，基于所述磁體中含有的100重量份的金屬基軟磁性材料，所述硅氧烷基共聚物的含量為0.05-0.2重量份。

9.根據權利要求1所述的芯片電子元件，其中，所述磁體的填充率為80％以上。

10.一種制備芯片電子元件的方法，該方法包括：

在絕緣基底的至少一個表面上形成內部線圈圖案；

在絕緣基底的上部和下部堆疊磁性片材以形成磁體，所述絕緣基底包括形成在所述絕緣基底的上部和下部的所述內部線圈圖案；以及

在所述磁體的至少一個端面上形成外部電極以與所述內部線圈圖案的末端連接；

其中，所述磁性片材含有不飽和羧酸基聚合物。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述磁性片材還含有硅氧烷基共聚物。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述磁性片材還含有金屬基軟磁性材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述金屬基軟磁性材料的顆粒直徑為0.1-30μm。

14.根據權利要求10所述的方法，其中，所述不飽和羧酸基聚合物的重均分子量為500-2300。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，所述硅氧烷基共聚物的重均分子量為500-2300。

16.根據權利要求10所述的方法，其中，基于所述磁性片材中含有的100重量份的金屬基軟磁性材料，所述磁性片材含有0.5-2.0重量份的所述不飽和羧酸基聚合物。

17.根據權利要求11所述的方法，其中，基于所述磁性片材中含有的100重量份的金屬基軟磁性材料，所述磁性片材含有0.05-0.2重量份的所述硅氧烷基共聚物。

18.根據權利要求10所述的方法，其中，所述磁體的填充率為80％以上。