[發明專利]一種去除金屬納米線表面有機物及氧化層的方法有效
| 申請號： | 201410723389.2 | 申請日： | 2014-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN105710082B | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發明（設計）人： | 王冉冉;孫靜;高濂 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | B08B7/00 | 分類號： | B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,鄭優麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 去除 金屬 納米 表面 有機物 氧化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種去除金屬納米線表面有機物及氧化層的方法，其特征在于，對金屬納米線或金屬納米線集合體進行常壓等離子體處理，以除去金屬納米線表面的有機物和氧化層，其中等離子體氣氛為氫氣或氫氣與惰性氣氛的混合氣，等離子體處理溫度為20～180℃，處理時間為2～10分鐘。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，處理功率為5～200W。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氫氣與惰性氣氛的混合氣中，氫氣與惰性氣氛的體積比為1：19。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬納米線集合體包括金屬納米線薄膜和金屬納米線印刷電路。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，將所述金屬納米線或金屬納米線集合體放置于以傳送帶形式的承載構件上進行連續化等離子體處理。
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