[發(fā)明專利]一種背面曝光工藝優(yōu)化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410723327.1
• 申請日: 2014-12-04
• 公開（公告）號: CN105717748B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王健
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種背面曝光工藝優(yōu)化方法，其特征在于，包括：

步驟一、建立光刻仿真工藝環(huán)境；

步驟二，設(shè)定不同的正面曝光劑量和u因子，得到不同的正面曝光劑量和背面曝光劑量組合下的曝光圖形，其中u因子為正面曝光劑量和背面劑量之比；

步驟三，確定目標(biāo)CD的范圍，得出正面曝光劑量與背面曝光劑量的范圍；

步驟四，在得出正面曝光劑量與背面曝光劑量的范圍內(nèi)均勻的選取采樣點(diǎn)，組成不同的正面曝光劑量和背面曝光劑量的組合；

步驟五，仿真每一個組合在不同焦面位置下的CD結(jié)果，得到CD隨焦面位置變化的曲線并做擬合，計算可用焦深；

步驟六，選取最優(yōu)的正面曝光劑量以及u因子；

其中，

所述步驟一包括標(biāo)定光刻膠參數(shù)，標(biāo)定光刻膠參數(shù)需滿足：

(a)|仿真頂部CD–測量頂部CD|<標(biāo)定CD誤差要求，

(b)|仿真底部CD–測量底部CD|<標(biāo)定CD誤差要求，

(c)|仿真劑量–實(shí)際劑量|<標(biāo)定劑量誤差要求；

所述步驟六中最優(yōu)的正面曝光劑量以及u因子的判斷方法包括：

(a)可用焦深最大；

(b)底部CD仿真大于頂部CD仿真；

(c)底部CD仿真曲線與頂部CD仿真曲線盡可能接近，并且中部CD仿真曲線位于所述底部CD仿真曲線以及頂部CD仿真曲線的中間；

(d)頂部CD仿真曲線與底部CD仿真曲線開口方向相反。

2.如權(quán)利要求1所述的背面曝光工藝優(yōu)化方法，其特征在于，還包括：和

步驟七，用選取的最優(yōu)的正面曝光劑量加上劑量誤差得到的正面曝光劑量和不同的u因子組合，仿真不同焦面位置下的CD結(jié)果，得到CD隨焦面位置變化的曲線并做擬合，并計算可用焦深；

步驟八，同時用選取的最優(yōu)的正面曝光劑量減去劑量誤差得到的正面曝光劑量和不同的u因子組合，仿真不同焦面位置下的CD結(jié)果，得到CD隨焦面位置變化的曲線并做擬合，并計算可用焦深；

步驟九，分別在步驟七、八中選取最優(yōu)的u因子；

步驟十，用步驟六和步驟九中選取的三組最佳的正面曝光劑量及u因子的組合，分別進(jìn)行蛇形變焦面實(shí)際曝光；

步驟十一，測量三種組合下實(shí)際曝光的CD結(jié)果，擬合CD隨焦面變化曲線并計算可用焦深；

步驟十二，選取可用焦深最大的組合作為為最優(yōu)正面曝光劑量和背面曝光劑量組合；

其中，所述步驟九中判斷最優(yōu)的u因子的方法包括：

(a)可用焦深最大；

(b)底部CD仿真大于頂部CD仿真；

(c)底部CD仿真曲線與頂部CD仿真曲線盡可能接近，并且中部CD仿真曲線位于所述底部CD仿真曲線以及頂部CD仿真曲線的中間；

(d)頂部CD仿真曲線與底部CD仿真曲線開口方向相反。