[發(fā)明專(zhuān)利]一種納米石墨晶電介質(zhì)復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)及應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410723085.6
• 申請(qǐng)日: 2014-12-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104596137A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉涌;王慷慨;伍枝正;程波;宋晨路;韓高榮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): F24J2/48
• 分類(lèi)號(hào): F24J2/48;B32B9/00;B32B15/04;B32B37/00
• 代理公司: 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種納米石墨晶電介質(zhì)復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，具有兩相復(fù)合的電介質(zhì)基體和納米石墨晶粒，所述納米石墨晶粒的尺寸在3nm～20nm范圍內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的納米石墨晶電介質(zhì)復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，電介質(zhì)基體和納米石墨晶粒的復(fù)合尺度在50nm以下。

3.如權(quán)利要求1所述的納米石墨晶電介質(zhì)復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的電介質(zhì)為T(mén)iO2、SiO2或ZrO。

4.如權(quán)利要求1所述的納米石墨晶電介質(zhì)復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，薄膜厚度在100～1000nm范圍內(nèi)。

5.一種權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述納米石墨晶電介質(zhì)復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，其特征在于，將所述的納米石墨晶電介質(zhì)復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)與低輻射率層串聯(lián)，制成一種復(fù)合薄膜。

6.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用，其特征在于，所述的低輻射率層為輻射率低于0.1的涂層或基底材料。

7.如權(quán)利要求6所述的應(yīng)用，其特征在于，所述的低輻射率層為金屬基板或金屬鍍層。