[發明專利]一種GaN復合襯底制備方法在審
| 申請號： | 201410722260.X | 申請日： | 2014-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN105719946A | 公開（公告）日： | 2016-06-29 |
| 發明（設計）人： | 甘志銀;劉勝;嚴晗;汪沛;呂強 | 申請（專利權）人： | 廣東昭信半導體裝備制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528251 廣東省佛*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 復合 襯底 制備 方法 | ||
1.一種GaN復合襯底制備方法，其特征在于：使用MOCVD設備，高速生長GaN薄膜，其GaN薄膜生長速率為30微米/小時以上，其GaN薄膜厚度在50微米以上，如在生長10個小時后，可以達到300微米左右的厚度，可以作為復合襯底使用。
2.如權利要求1所述的一種GaN復合襯底制備方法，其特征在于其步驟如下：
步驟（1）：在MOCVD反應腔中，將藍寶石襯底溫度降低到500~600℃，生長第一層GaN薄膜，所生長GaN薄膜厚度為20~30納米；
步驟（2）：生長完畢之后，將襯底溫度提高到1050~1100℃，生長第二層GaN薄膜，所生長GaN薄膜厚度為2~3微米；
步驟（3）：生長完畢之后，將襯底溫度降低到700~800℃，生長第三層GaN薄膜，所生長GaN薄膜厚度為30~40納米；
步驟（4）：生長完畢之后，將襯底溫度提高到1000~1050℃，生長第四層GaN薄膜，所生長GaN薄膜厚度為3~5微米；
步驟（5）：生長完畢之后，將襯底溫度降低到500~600℃，生長第五層GaN薄膜，所生長GaN薄膜厚度為15~25納米；
步驟（6）：生長完畢之后，將襯底溫度提高到1050~1100℃，生長第六層GaN薄膜，所生長GaN薄膜厚度為2~3微米；
步驟（7）：生長完畢之后，將襯底溫度提高到1400℃以上，停止反應源輸運，對GaN薄膜進行高溫表面懸掛鍵形成處理，持續時間5~10分鐘，反應腔壓強為100毫巴以下，反應腔內氣體氛圍為氫氣，氫氣流量為20升/分鐘以下；
步驟（8）：處理完畢之后，將襯底溫度降低到1100~1200℃，通過高速生長方式，生長第七層GaN薄膜，其中Ga源輸運量為10000微摩爾/分鐘以上，GaN生長速率為30微米/小時以上，所生長GaN薄膜厚度為50~200微米；
步驟（9）：生長完畢之后即可得到GaN復合襯底。
3.如權利要求1和2所述一種GaN復合襯底制備方法，其特征在于：在GaN薄膜生長過程中，采用三甲基鎵或三乙基鎵作為Ga源，氨氣作為N源，同時使用高純氫氣作為載氣。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
