[發(fā)明專(zhuān)利]一種面向燃?xì)廨啓C(jī)熱端部件的復(fù)雜結(jié)構(gòu)陶瓷零件制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410721025.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-08-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104496507A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魯中良;白樹(shù)釗;劉濤;曹繼偉;李滌塵 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C04B35/80 | 分類(lèi)號(hào): | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/185;C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司: | 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 陸萬(wàn)壽 |
| 地址: | 710049 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 面向 燃?xì)廨啓C(jī) 部件 復(fù)雜 結(jié)構(gòu) 陶瓷 零件 制造 方法 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明屬于快速鑄造領(lǐng)域,特別涉及一種面向燃?xì)廨啓C(jī)熱端部件的復(fù)雜結(jié)構(gòu)陶瓷零件制造方法。
【背景技術(shù)】
隨著燃?xì)廨啓C(jī)冷卻系統(tǒng)不斷復(fù)雜化,其制造加工難度不斷加大,傳統(tǒng)的機(jī)械加工方式已經(jīng)很難滿(mǎn)足其加工要求。新型、有效的制造方法的開(kāi)發(fā)研究成為該領(lǐng)域科研工作者所追求的目標(biāo)。
目前國(guó)內(nèi)外主要采用熔模鑄造技術(shù)制備燃?xì)廨啓C(jī)熱端部件復(fù)雜結(jié)構(gòu)零件:首先通過(guò)熱壓注等工藝制備出具有復(fù)雜形狀的陶瓷型芯;然后制造出金屬模具,將陶瓷型芯裝配在金屬模具中,用蠟將金屬模具和陶瓷型芯之間的間隙填充后將金屬模具去除,從而獲得具有內(nèi)部陶瓷型芯的蠟?zāi)#蛔詈螅瑢⑾災(zāi)_M(jìn)行多次掛漿、干燥等工藝操作,制得一定厚度的型殼;在爐中將蠟熔化流出或蒸發(fā),將型芯型殼一起燒結(jié),獲得陶瓷鑄型,最后澆注金屬獲得零件。這種方法工藝周期長(zhǎng)、難度大、成本高,不利于新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),并且型芯型殼通過(guò)裝配結(jié)合在一起,會(huì)引入裝配誤差導(dǎo)致零件的偏芯、穿孔等缺陷。
激光燒結(jié)技術(shù)是一種較成熟的增材制造技術(shù),其適用材料必須具有適度的導(dǎo)熱性,經(jīng)激光燒結(jié)后要有足夠的粘接強(qiáng)度。而陶瓷的燒結(jié)溫度很高,很難用激光直接燒結(jié)。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明的目的在于提供一種面向燃?xì)廨啓C(jī)熱端部件的復(fù)雜結(jié)構(gòu)陶瓷零件制造方法,該方法利用增材制造技術(shù)將復(fù)雜結(jié)構(gòu)陶瓷零件直接加工成型,通過(guò)滲硅或浸漬處理、化學(xué)氣相滲透等工藝提高機(jī)械性能以滿(mǎn)足使用要求。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種面向燃?xì)廨啓C(jī)熱端部件的復(fù)雜結(jié)構(gòu)陶瓷零件制造方法,包括以下步驟:
1)、將表面覆膜的陶瓷粉末、短纖維、粘結(jié)劑在攪拌機(jī)中混合均勻得到混合均勻的陶瓷粉末混合物;
2)、通過(guò)激光燒結(jié)技術(shù)將混合均勻的陶瓷粉末混合物燒結(jié)成型,得到燃?xì)廨啓C(jī)復(fù)雜結(jié)構(gòu)零件的陶瓷坯體;
3)、在真空環(huán)境下,將陶瓷坯體中覆膜材料熱解碳化;
4)、在真空環(huán)境下,對(duì)陶瓷坯體進(jìn)行高溫滲硅/浸漬;
5)、利用化學(xué)氣相滲透技術(shù)在陶瓷坯體內(nèi)部孔隙進(jìn)行滲透沉積碳化硅/氧化硅。
優(yōu)選的,步驟1)中,所述陶瓷粉末為碳化硅陶瓷粉末或氧化物陶瓷粉末;所述表面覆膜的陶瓷粉末占陶瓷粉末混合物總質(zhì)量的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為75%~85%。
優(yōu)選的,所述碳化硅陶瓷粉末的粒徑為2~45μm,氧化物陶瓷粉末的粒徑為10~80μm。
優(yōu)選的,步驟1)中采用氧化物陶瓷粉末時(shí),所述陶瓷粉末混合物中還包括助燒劑,所述助燒劑占陶瓷粉末混合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%~10%;所述助燒劑氧化硅、氧化鋯、氧化鎂中一種或多種的混合物。
優(yōu)選的,步驟1)中,所述短纖維的材質(zhì)與陶瓷粉末的材質(zhì)相同,短纖維占陶瓷粉末混合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%~15%。
優(yōu)選的,所述粘結(jié)劑為固態(tài)顆粒聚甲基丙烯酸甲酯,粘結(jié)劑占陶瓷粉末混合物總質(zhì)量的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~15%。
優(yōu)選的,步驟2)中激光燒結(jié)的參數(shù)設(shè)置為:激光功率20W,鋪粉厚度0.1mm,激光掃描速度2000mm/s,掃描間距0.1mm,預(yù)熱溫度100℃。
優(yōu)選的,步驟3)具體包括以下步驟:將陶瓷坯體放入加熱爐,在真空環(huán)境下,以3℃/min的升溫速率升溫至240℃,保溫2h;隨后以1℃/min的升溫速率升溫至320℃,保溫2h,然后以2~3℃/min的升溫速率升溫至800℃,保溫2h,在此溫度下,覆膜在陶瓷粉末表面的酚醛樹(shù)脂分解。
優(yōu)選的,步驟1)中采用碳化硅陶瓷粉末時(shí),步驟4)中采用高溫滲硅工藝;步驟4)中高溫滲硅的具體工藝為:首先將陶瓷葉片埋入硅粉中,在真空環(huán)境下經(jīng)3~5h將溫度升至1410℃,然后經(jīng)0.5h~2h將溫度升至1550℃,保溫0.5h,完成滲硅工藝,最后將溫度升至1600℃,保溫1h,完成排硅工藝。
優(yōu)選的,步驟1)中采用氧化物陶瓷粉末時(shí),步驟4)中采用浸漬工藝;步驟4)中浸漬的具體工藝為:對(duì)于氧化物陶瓷葉片,進(jìn)行真空熱浸漬處理,浸漬壓強(qiáng)為0.02~0.04MPa,浸漬溫度為30~100℃,浸漬至浸漬液中不再產(chǎn)生氣泡,然后在真空條件下以10℃/min的升溫速率升溫至1600℃進(jìn)行裂解處理。
優(yōu)選的,步驟5)中化學(xué)氣相滲透的具體工藝為:以甲基三氯硅烷為氣源物質(zhì),氬氣為稀釋氣體,氫氣為載氣,通過(guò)氣體擴(kuò)散進(jìn)行深孔沉積,在葉片內(nèi)沉積碳化硅,沉積溫度1050℃,氣氛壓力5kPa,氫氣流量300ml/min,氬氣流量350ml/min,氫氣流量與甲基三氯硅烷流量的摩爾質(zhì)量比為10,沉積時(shí)間120h;
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