[發(fā)明專利]一種低吸收薄膜材料消光系數(shù)的精確計(jì)算方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410720302.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104458614A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 季一勤;姜玉剛;劉華松;王利栓;姜承慧;劉丹丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)航天科工集團(tuán)第三研究院第八三五八研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N21/31 | 分類號(hào): | G01N21/31 |
| 代理公司: | 中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)公司專利中心 11011 | 代理人: | 劉東升 |
| 地址: | 300308 天津市*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 吸收 薄膜 材料 系數(shù) 精確 計(jì)算方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于弱吸收薄膜材料的消光系數(shù)精確測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種低吸收薄膜材料消光系數(shù)的精確計(jì)算方法。
背景技術(shù)
隨著超高精度測(cè)量系統(tǒng)的快速發(fā)展,對(duì)超低損耗激光薄膜總損耗的要求越來越高。這些高精度激光測(cè)量系統(tǒng)的靈敏度、信噪比和性能強(qiáng)烈地依賴于薄膜的總損耗,沒有性能優(yōu)異的超低損耗激光薄膜,這些系統(tǒng)的優(yōu)越性能,有時(shí)甚至是基本功能都是不可能實(shí)現(xiàn)的。超高精度激光測(cè)試系統(tǒng)中使用了多種低損耗薄膜元件,其中腔鏡高反射膜的損耗對(duì)系統(tǒng)性能的影響最大,控制薄膜損耗就成為該系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)之一。高反射膜的損耗一直都是低損耗薄膜研究的重點(diǎn)和熱點(diǎn),根據(jù)能量守恒定律,高反射膜的反射率R可表示為:
R=1-(A+S+T)
式中:S為散射損耗,A為吸收損耗,T為透射損耗。對(duì)于高反射膜,散射損耗、吸收損耗和透射損耗統(tǒng)稱為總損耗。吸收損耗是低損耗激光薄膜總損耗的重要組成部分,因此吸收損耗的控制對(duì)于降低薄膜的總損耗起到至關(guān)重要的作用。
目前制備的超低損耗激光薄膜吸收損耗水平多在幾十ppm到亞ppm量級(jí),因此ppm量級(jí)的低損耗激光薄膜吸收損耗精確測(cè)試成為目前亟待解決的問題之一。目前激光薄膜吸收損耗測(cè)試技術(shù)主要有激光量熱測(cè)量技術(shù)和光熱偏轉(zhuǎn)技術(shù)兩種方法:(一)激光量熱測(cè)量技術(shù):目前已有國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(ISO11551),能對(duì)絕對(duì)吸收損耗測(cè)量,測(cè)量可重復(fù)性好,可操作性強(qiáng),但也存在著一些缺點(diǎn),比如時(shí)間、空間分辨率低,需測(cè)量特定的樣品等。(二)光熱偏轉(zhuǎn)測(cè)量技術(shù):雖然沒有統(tǒng)一的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),但實(shí)際得到了廣泛的應(yīng)用,具有靈敏度高,時(shí)間、空間分辨率高,可測(cè)量實(shí)際樣品,可分離薄膜吸收和基底吸收等優(yōu)點(diǎn),但此方法只是一個(gè)相對(duì)測(cè)量,準(zhǔn)備定標(biāo)困難,操作難度大。但現(xiàn)有的這兩種弱吸收測(cè)試技術(shù)無法測(cè)量薄膜在632.8nm的吸收,從而精確計(jì)算632.8nm的消光系數(shù),有必要研究吸收隨著波長(zhǎng)的變化規(guī)律,根據(jù)532nm和1064nm的測(cè)試結(jié)果,推導(dǎo)出薄膜在632.8nm的吸收,從而精確計(jì)算薄膜材料在632.8nm的消光系數(shù),為設(shè)計(jì)和制備高性能的超低損耗激光薄膜打下基礎(chǔ)。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:如何提供一種低吸收薄膜材料消光系數(shù)的精確計(jì)算方法。
(二)技術(shù)方案
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種低吸收薄膜材料消光系數(shù)的精確計(jì)算方法,其包括如下步驟:
步驟S1:采用離子束濺射沉積技術(shù)在單面基底上制備單層高折射率材料H薄膜和低折射率材料L薄膜;
步驟S2:采用橢圓偏振儀測(cè)量單層H薄膜和單層L薄膜的反射橢圓偏振參數(shù)Ψ(λ)和Δ(λ),設(shè)定測(cè)量波長(zhǎng)范圍為λmin-λmax,測(cè)量步長(zhǎng)為Δλ,入射角度為θ;
步驟S3:建立單層薄膜材料的折射率計(jì)算模型,使用非線性優(yōu)化算法,對(duì)測(cè)量的橢圓偏振數(shù)據(jù)進(jìn)行反演計(jì)算,選擇Cauchy模型作為擬合模型,當(dāng)擬合計(jì)算的數(shù)據(jù)和測(cè)量數(shù)據(jù)基本一致時(shí),則認(rèn)為反演計(jì)算成功,即可獲得單層H薄膜的物理厚度dH、單層L薄膜的物理厚度dL、單層H薄膜的折射率nH和單層L薄膜的折射率nL;
步驟S4:根據(jù)柯西公式計(jì)算獲得單層H薄膜和單層L薄膜材料的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù),在石英基底上設(shè)計(jì)工作角度為0度的632.8nm高反射膜,當(dāng)最外層為H層時(shí),記為膜系M1樣品,當(dāng)最外層為L(zhǎng)層時(shí),記為膜系M2樣品,設(shè)計(jì)時(shí)反射率大于99.995%;采用離子束濺射沉積技術(shù),在超光滑的石英基底上鍍制0度的632.8nm高反射膜;
步驟S5:采用表面熱透鏡技術(shù),其中泵浦光源選擇為532nm的綠光激光器,探測(cè)光源選擇為632.8nm的紅光激光器,在吸收損耗測(cè)量時(shí),泵浦光近似于0度入射到高反射膜樣品上,在高反射膜樣品上選擇2mm×2mm區(qū)域內(nèi)的吸收損耗進(jìn)行掃描測(cè)量,取平均值即可獲得吸收損耗,M1樣品對(duì)應(yīng)的吸收損耗為A1,M2樣品對(duì)應(yīng)的吸收損耗為A2;
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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