[發(fā)明專利]OLED器件及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410719239.4
• 申請日: 2014-12-01
• 公開（公告）號: CN105633116B
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設計）人: 張欠欠;魏朝剛
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種OLED器件，所述OLED器件包括基板以及形成于所述基板上的像素單元，所述像素單元包括多個子像素單元，所述子像素單元包括陽極、陰極及形成于所述陽極和所述陰極之間的有機材料層，其特征在于，所述子像素單元還包括濾光器，所述陽極包括依次形成于所述基板上的第一陽極膜層和第二陽極膜層以及覆蓋所述第二陽極膜層和濾光器的第三陽極膜層，所述濾光器形成于所述第二陽極膜層與有機材料層之間，所述濾光器包括依次層疊的濾光器下電極、第一反射層、壓電材料層、第二反射層以及濾光器上電極，通過控制所述濾光器下電極和濾光器上電極的電壓以控制所述壓電材料層的介質(zhì)折射率，使得所述濾光器僅通過與各子像素單元對應波長的光波。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述壓電材料層的材料是PLZT或者PMN-PT。

3.如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述濾光器下電極和濾光器上電極的材料是ITO、InZnO或ITZO。

4.如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述壓電材料層的厚度在300～400nm之間，所述第一反射層和第二反射層的厚度在100～200nm之間。

5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的OLED器件，其特征在于，還包括形成于所述基板上的濾光電路，所述濾光電路與所述濾光器下電極和濾光器上電極電連接以向所述濾光器下電極和濾光器上電極施加電壓。

6.如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一陽極膜層和第三陽極膜層的材料是ITO、InZnO或ITZO，所述第二陽極膜層的材料是銀。

7.如權(quán)利要求1或6所述的OLED器件，其特征在于，還包括形成于所述濾光器與第二陽極膜層之間的第一絕緣層以及形成于所述濾光器與第三陽極膜層之間的第二絕緣層。

8.一種OLED器件制造方法，包括：在基板上形成像素單元，所述像素單元包括多個子像素單元，所述子像素單元包括陽極、陰極及形成于所述陽極和所述陰極之間的有機材料層；其特征在于，還包括：形成濾光器，所述濾光器包括依次層疊的濾光器下電極、第一反射層、壓電材料層、第二反射層以及濾光器上電極，通過控制所述濾光器下電極和濾光器上電極的電壓以控制所述壓電材料層的介質(zhì)折射率，使得所述濾光器僅通過與各子像素單元對應波長的光波；

所述陽極和濾光器通過以下步驟形成：在所述基板上形成第一陽極膜層以及第二陽極膜層；在所述第二陽極膜層上的各子像素單元內(nèi)形成濾光器；以及在所述第二陽極膜層以及濾光器上形成第三陽極膜層；其中，所述濾光器形成于所述第二陽極膜層與有機材料層之間。

9.如權(quán)利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述壓電材料層的材料是PLZT或者PMN-PT。

10.如權(quán)利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述濾光器下電極和濾光器上電極的材料是ITO、InZnO或ITZO。

11.如權(quán)利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述壓電材料層的厚度在300～400nm之間，所述第一反射層和第二反射層的厚度在100～200nm之間。

12.如權(quán)利要求8至11中任意一項所述的OLED器件制造方法，其特征在于，在形成所述陽極之前，在所述基板上形成一濾光電路，所述濾光電路與所述濾光器下電極和濾光器上電極電連接以向所述濾光器下電極和濾光器上電極施加電壓。

13.如權(quán)利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述第一陽極膜層和第三陽極膜層的材料是ITO、InZnO或ITZO，所述第二陽極膜層的材料是銀。